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本文从a-Si:H的材料特性出发,采用更为精确的a-Si:H带隙态分布模型计算了a-Si:HCCD的转移特性,得出了a-Si:H材料参数对a-Si:HCCD的动态性影响的数值分析结果,理论结果表明,a-Si:H材料带隙中局域态分布对a-Si:HCCD的转移特性有非常大的影响,而且在高频下,a-Si:H中的带尾态对a-Si:HCCD转移特性的影响比深局域态要大。 相似文献
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