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研究了直拉头尾料P型硅单晶片在360～1 300℃范围热处理前后氧碳含量、电阻率和少子扩散长度的变化规律及其对所制成太阳电池性能的影响。已证实在最佳的热处理条件下样品含氧量减少,少子扩散长度和电池效率达到最大,比未作热处理的单晶电池效率提高0.5～2倍,为利用这类单晶提供了有效方法。对此现象用热施主与深中心相互作用的模型作了初步解释。 相似文献
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X衍射法分析CVD制备SnO2多晶膜的构成及其对气敏特性… 总被引：1，自引：0，他引：1
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。 相似文献
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通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。 相似文献
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