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提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率.测量结果显示至少在55nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率(1.4W/mK)的常数1.06W/mK.测量中发现硅/二氧化硅边界存在边界热阻,并测量了该数值.结果表明,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略. 相似文献
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提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率.测量结果显示至少在5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率(1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅/二氧化硅边界存在边界热阻,并测量了该数值.结果表明,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略. 相似文献
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