CSTN-LCD用铬版清洗效果的改善

利用铬版清洗机对CSTN-LCD用铬版进行清洗处理,分析了清洗过程中出现的铬层脱落现象,铬层脱落与轴向喷射压力和水平切力密切相关,通过调整转速和喷射压力探索了安全使用条件:在转速不超过1000r/min,喷射压力低于0.5×105Pa的情况下使用铬版清洗机进行清洗是相对安全的。同时采用预清洗处理的方法满足清洁要求,使换线时间由平均3h缩短到平均1h以内,年产能提高270000片。     

无序的平行型ECB-LCD的研究

为了改善常规的ECB LCD的显示品质,采用不摩擦技术制备了无序的平行ECB液晶盒,并研究了盒中液晶的微观织构,分析了它的电光特性和视角特性。无序的平行ECB液晶盒是多畴的且具有不能被人的肉眼所识别的微观向错的结构,并具有分色性好、视角在整个平面内方位对称等特性。为了克服实际驱动时产生的宏观向错,制备了聚合物稳定的无序的平行ECB器件,其聚合物形成的网络限定了向错的界限,有效地防止了宏观向错的形成。     

一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计

提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.     

提高共面转换液晶显示器件响应时间的研究

利用液晶弹性理论和动力学理论对共面转换液晶显示器件响应时间参数进行了分析, 将聚合物网络引入这种模式, 利用聚合物网络对液晶的锚定作用, 使得 Ｉ Ｐ Ｓ液晶显示器件的下降响应时间得到极大改善。实验结果表明, 聚合物的百分比含量对器件的响应时间、阈值电压、对比度有较大影响。     

低温p—Si薄膜的制备研究

引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少。     

垂直排列一扭曲向列液晶显示的阈值特性

从液晶体系的总自由能出发,通过欧拉-拉格朗日方程组的推导,得到了手性向列相液晶从垂直排列状态转变成平面扭曲排列时的Freedericksz转变阈值电压公式Vth=π×     

ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能

以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。