在超高真空中用加热银管获得纯氧的方法和气体的质谱分析

正 (一)引言 我们知道,在真空条件下可以由化学反应产生氧,例如,加热氧化亚铜、氧化锰或过氧化钡等;也可通过真空阀门向真空室内放入纯氧;而通过加热银管向系统内放入高纯氧则是较简便的方法,这是本文所要讨论的内容。当然,更新的获取高纯氧的方法是用氧化钙稳定氧化锆作渗透膜。 (二)实验技术和结果 我们的实验系统如图1所示。它包括抽速为60l/s的三极式溅射钛离子泵(日本     

GaAsⅢ-V族负电子亲和势透射式光电阴极

文中评述了负电子亲和势透射式光电阴极的结构模型。指出了这种结构的光学匹配、晶格匹配、热膨胀系数匹配的必要性,讨论了光阴极的光谱和积分灵敏度与阴极厚度、扩散长度、界面复合速度的关系,以及估计了所达到的最高灵敏度值。     

MOCVD GaAs／Si外延层中层错的TEM研究

应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。     

一种铯离子源

正 (一)引言 在光电发射体以及光电器件的研究中,都要应用碱金属源。碱金属源分为中性源和离子源两大类。在研究ⅢⅤ族光电发射体中多用离子源作为碱金属源。碱金属离子源还用于原子碰撞和离子碰撞研究中以及在低气压(p10-5)托)情况下伴随电击穿现象的研究中,此时把平稳的离子流作为研究用的一种探针。所以,研究如何获得碱金属离子源是有意义的。我们为了研究光电发射体的需要,研究了一种铯离子源。 (二)离子源的描述 把高纯度的Al2O3电泳于钨螺旋上作为载体,将其浸入     

多层异质结构GaAs／AlxGa1—xAs的TEM和AES的研究

GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/Al_xGa_(1-x)As层间界面清晰(图1)。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线(图2)显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。     

分子束外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结构中的“精细低维调制条纹”的观察

应用透射式电子显微镜观察了GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1(?)的GaAs条纹,12(?)的Al_xGa_(1-x)As条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-Al_xGa_(1-x)As 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获得的成分定量分析结果。     

Si和GaAs中的(112)孪晶界

在形变的半导体外延薄膜中经常观察到微孪晶。这种微孪晶的HREM像中往往出现一种三倍于晶格周期性的条纹。本文利用HREM和图像模拟计算技术研究这种条纹的本领。材料有两种:①激光再结晶多晶Si/Si层和②MB EGaAs/Si层。图(1)是Si中的微孪晶的HREM像。图中a和b处是具有敏锐边界的晶界,a处的大白点呈明显的三倍周期性。C处是一个模糊的边界区域。三倍周期条纹的图样特征随着离晶界C的距离而逐渐改变。我们认为这种三倍周期的条纹是两个成孪晶关系的区域重叠而形成的。这种微孪晶片的主晶界是[111]面,而其侧面的晶界应为[112]面。晶界的原子模型如图(2)。按晶界与膜面的取向关系可分成两类,如图(3)。     

分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的“精细低维调制条纹”的观察

应用透射式电子显微镜观察了GaAs-Al_xGa_1-xAs多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-Al_xGa_1-xAs超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-Al_xGa_1-xAs超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1Å的GaAs条纹,12Å的Al_xGa_1-xAs条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-Al_xGa_1-xAs 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获得的成分定量分析结果。