低噪声GaAs MESFET有源层的Si~+注入

本文叙述了用Si~+注入GaAs形成低噪声MESFET有源层的初步实验结果.获得了峰值载流子浓度为1～2×10(17)cm~(-3)、在交界面处迁移率≥3000cm~2/V·s的有源层,制出了在2GHz下NF为0.9dB、G_a为14.5dB的双栅FET和9.5GHz下NF为2.0dB、G_a为9.5dB的单栅FET.实验结果表明,采用Si~+注入沟道的器件达到了汽相外延器件的最佳性能,某些参数超过了汽相外延器件.     

基于76.2 mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估

报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性.器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500℃高温处理30 s后器件肖特基特性依然保持稳定.随后的高温工作寿命试验表明,该GaNHEMT能够...     

用外差法测L、S、C三个微波波段频率

国内外测试频率的仪器,大致可分为置换法、取样法和外差法三种.本文介绍外差法测试频率.优点是既能保持计数器精度,又操作方便.外差法是把一个较高的被测频率与一个机内产生的某一已知本振频率进行差拍,得到一个较低的,计数器可计数的频率,这样通过转换,我们就可把本振频率读值和计数器读值相加,求得被测频率,其方框图如图1所示.