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本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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SOI MOSFET I—V特性的计算机模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了SOI MOSFET的I-V特性,建立了一套模拟SOI器件工作特性的解析模型,适用于不同的SOI膜厚和各种前、背栅的偏置情况,在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合。该模型物理意义明确,计算简便快速,所用参数易于提取。 相似文献
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适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片 总被引:2,自引:0,他引:2
双金属效应是一种基本的物理效应,这一效应在硅微机械装置上的应用,有力地弥补了硅材料不具备压电效应,电信号难以直接转换为机械驱动力的缺陷。本文将介绍我们研制的铝硅双金属膜片.膜片尺寸为4mm×4mm×(20μm单晶硅+10μm金属铝).实验和分析结果表明,铝硅双金属膜片具有优越的力学特性,能提供足够大的动力和位移。这种集成的单片驱动结构不仅在材料及工艺上与IC工艺完全兼容,而且通过调整有关结构参数及工艺参数,可使该结构在5伏电压下稳定工作,为实现硅微机械系统(MEMS)奠定了基础.这种驱动方式是目前制造微阀门、微流量泵等需要大 相似文献
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