硅片CMP终点检测技术现状与发展趋势

化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键。若未能有效地监测抛光工艺过程,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制的基础上,着重阐述了当前几种CMP终点检测技术的原理及优缺点,最后讨论了CMP终点检测技术的发展趋势。     

大直径硅晶片化学机械抛光及其终点检测技术的研究与应用

化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.