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相变存储器存储单元瞬态电流测量 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了相变存储单元瞬态电流的测量方法。根据相变存储器的工作特性,利用微弱电流取样电阻测量法,合理选择测量参数测得了相变存储单元的瞬态电流,电阻与电流关系特性曲线和动态电阻。并根据测量电路等效电路模型分析影响测量的因素,估算出电路中的分布电容。 相似文献
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文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟.模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元. 相似文献
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本文研究了磁光盘介质薄膜-AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构,通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和c轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和SiN薄膜的简单组合,而是形成了稳定的非晶特征结构。且AlSiN薄膜由于其非晶结构而比AlN薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越。 相似文献
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