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高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X 射线衍射测量表明 ,重掺杂导致了GaN质量的下降 ,退火后略有恢复。霍尔测量表明 ,Cp2 Mg :TMGa的流量比小于 1:2 6.3时 ,退火后空穴浓度可达到 2× 10 18cm- 3;当Cp2 Mg :TM Ga的流量比为 1:2 1.9时 ,得到的高阻GaN在常规热退火和快速热退火后均只为弱 p型 ,存在明显的施主补偿现象。这被认为是重掺杂导致晶格缺陷增多 ,引入了施主能级 ,补偿了被激活的Mg原子的结果 相似文献
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考虑决策者在时间紧急及信息不完备的情况下给出评估值时可能会出现犹豫不决的情况,提出基于犹豫模糊集的网络舆情突发事件应急群决策法.首先,通过犹豫模糊信息熵及交叉熵建立各评价指标的权重确定模型;其次,利用犹豫模糊加权平均算子及得分函数计算各突发事件评价指标的犹豫模糊评估值得分;然后结合各评价指标的权重值及评估值得分,计算出各网络舆情突发事件综合危害性得分,进而辅助应急部门确定各网络舆情突发事件的处置顺序;最后通过案例分析证明了方法的有效性. 相似文献
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报道了低压MOCVD生长的同-GaN薄膜不同位置的微区Raman散射光谱.观测到了微区结构不完整对Raman谱的影响.通过X射线衍射分析,证实了该样品晶体质量是不均匀的,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因.结合Hall测量结果,对GaN薄膜的A1(LO)模式的移动进行了电声子相互作用分析,认为A1(LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关,而是受内部应力分布不均匀的影响所致. 相似文献
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对在GaAs、Al2O3和Si等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到α相GaNl模,Al模El模和E2模,结合射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN喇曼谱与GaN外延层的结构相,完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段。 相似文献
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对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献
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利用烯烃和芳烃较易发生磺化反应的机理,把烷烯烃中的烯烃和芳烃与浓硫酸或发烟硫酸作用,反应后通过中和、水解,最后脱水分离出烷烃,用液相色谱进行定性和定量分析,从而测定出其中的烷烃含量.从定量结果可以看出,经过磺化、水解后,样品中的芳烃和烯烃被洗脱,只有难磺化的烷烃组分,将烷烃组分配制成不同的浓度注入具有两根串联的硅胶柱和... 相似文献
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蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。 相似文献
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GaN薄膜的微区Raman散射光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了低压 MOCVD生长的同一 Ga N薄膜不同位置的微区 Raman散射光谱 .观测到了微区结构不完整对 Raman谱的影响 .通过 X射线衍射分析 ,证实了该样品晶体质量是不均匀的 ,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因 .结合 Hall测量结果 ,对 Ga N薄膜的 Al( L O)模式的移动进行了电声子相互作用分析 ,认为 A1 ( LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关 ,而是受内部应力分布不均匀的影响所致 . 相似文献
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