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本文定量地研究了硅自由表面层熔体的流动规律,用大量实验数据确立了自由表面层熔体径向流动速度与熔体纵横比(D/H)值的线性对应关系。根据这个关系可以成功地解释和处理硅单晶生长过程中的许多相关问题。 相似文献
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本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
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进一步研究了提高硅单晶的质量,取得了良好的结果。采用减压拉晶工艺,研究炉室内气体运动状态,调节氩气流量,及时有效地排除反应产物,碳的含量得到了显著的降低,多数单晶样品的碳含量≤5×0~(16)/厘米~3。系统地研究了消除旋涡缺陷的途径。设计出一个梯度适宜、热对称性良好的温度场,合理选择晶体生长参数,获得近似平坦而微凹的结晶前沿,注意氧含量的控制,能够做到90%以上的 P 型〈111〉,〈100〉单晶为无旋涡缺陷。无旋涡缺陷单晶生长工艺有助于单晶径向电阻率均匀性的改善,径向电阻率不均匀度一般均可≤8%。 相似文献
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The axial and radial convective flow,temperature fluctuation and distribution in the HMCZ silicon meltare studied tentatively.The experimental results show that the axial and radial convective speeds,the tempera-ture variation and the radial temperature gradient,parallel to magnetic field and near melt surface,alldecrease,but the axisymmetry of temperature distribution no longer exists when the magnetic field is applied. 相似文献
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在商业竞争社会里,作为家电企业,拥有知识产权便可在市场竞争中占有主动权.为了突显企业科技实力,达到技术垄断,推动科技进步,家电企业专利申请数量逐年提高,但随之而来,市场上也出现了仿造他人产品,实施他人专利技术的侵权行为.目前许多企业建立了市场专利监控机制,以便尽早发现并及时解决侵权问题.发现专利侵权后,企业究竟该如何操作?笔者建议专利权人不宜操之过急、急于诉讼,至少应先行走完以下六步: 相似文献
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