TGG法制备Sr2Nb2O7织构陶瓷及其性能研究

采用模板晶粒生长（TGG）法制备了Sr2Nb2O7织构陶瓷,研究了其晶体结构、介电和压电性能等的各向异性。结果表明,Sr2Nb2O7织构陶瓷沿<0l0>晶面取向,其取向度为0.78。Sr2Nb2O7织构陶瓷的居里温度为1 328 ℃,其压电、介电性具有明显各向异性特征。Sr2Nb2O7垂直方向（SNO┴）样品的压电常数为2.8 pC/N,650 ℃时电阻率为5.6×104Ω·cm。     

CaBi_2Ta_2O_9基压电陶瓷的A位掺杂改性研究

该文采用固相反应法制备了铋层状结构Ca_(1-x)(LiCe)_(x/2)Bi_2Ta_2O_9(CBT-LC100x)高居里温度(T_C)压电陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.5))~(2+)复合离子掺杂对CaBi_2Ta_2O_9(CBT)基陶瓷晶体结构、介电、压电等性质的影响。结果表明,在选定(Li_(0.5)Ce_(0.5))~(2+)掺杂浓度范围内,CBT-LC100x陶瓷呈正交晶体结构。随着x增加,T_C趋于降低,从941℃降低至924℃。Ce离子的施主掺杂效应有利于电阻率及压电活性的提高,当x=0.06(x为摩尔分数)时,具有最优综合性能,T_C约为924℃,压电常数d_(33)约为8.1 pC/N, 650℃时电阻率为1.7×10~6Ω·cm。