过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响

小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势。     

沉淀硫酸钡颗粒几何特性及表面ζ电位分析

以芒硝-硫化钡法生产的沉淀硫酸钡为对象,对普钡、超细钡和精细钡粉体的粒度、形貌与结构及表面ζ电位和随pH的变化规律进行了分析表征,对改善沉淀硫酸钡流动性和吸油量,以及对沉淀硫酸钡表面物理化学性质的调控和进行表面处理等应用研究有参考价值.     

沉淀硫酸钡颗粒几何特性及表面ξ电位分析

以芒硝一硫化钡法生产的沉淀硫酸钡为对象，对普钡、超细钡和精细钡粉体的粒度、形貌与结构及表面ξ电位和随pH的变化规律进行了分析表征，对改善沉淀硫酸钡流动性和吸油量，以及对沉淀硫酸钡表面物理化学性质的调控和进行表面处理等应用研究有参考价值。     

沉淀硫酸钡粉体流动性及影响因素分析

以芒硝-硫化钡法工业化生产的沉淀硫酸钡为对象,在对普钡、超细钡和精细钡粉体的流动性指数进行测试的基础上,分析了影响沉淀硫酸钡粉体流动性能的主要因素,并着重分析了沉淀硫酸钡粉体受压缩时颗粒间范德华力的变化对流动性的影响,得出了内聚力以压缩率的平方递增的关系。