VLSI老化模型参数热阻的研究

从老化筛选模型人手,阐述了老化模型参数热阻的重要性。基于热阻测量原理,给出了常见的热阻测量方法．同时分析了各测量方法的优缺点。在此基础上提出了一种新颖的封装热阻估计实验方法。虽然不能精确地测量出国产VLSI的热阻值．但给出了一种国产VLSI封装热阻数据的获取方法。实验证明其具有较强的实用性,不失为一种国产VLSI热阻参数快速确定的工程技术。     

TD-LTE D频段和F频段对比测试分析

通过各项测试用例,对D频段和F频段的无线性能进行分析,并通过不同场景对比测试,研究LTE室外D、FN个频段在不同场景下的覆盖能力差异。     

VLSI老化筛选试验技术的挑战

通过对集成电路老化试验技术的研究,指出了VLSI老化筛选试验技术仍然是集成电路产品质量和可靠性保障的重要手段。但是随着集成电路技术的飞速发展,老化技术面临许多有待解决的技术问题,从VLSI产品质量和可靠性保障的角度出发,急需制定可操作的VLSI老化试验技术规范。     

CPU技术发展及其可靠性评价研究

本文通过对CPU工作原理的考察和对发展趋势的分析,得出CPU发生失效的几率越来越高,而且原因也越来越多,同时也指出老化筛选试验技术仍然是CPU质量和可靠性保障的重要手段.面对CPU飞速发展所带来的新问题,老化技术面临着许多有待解决的新的技术挑战,强调了制定可操作的CPU老化试验技术规范的紧迫性.     

过辐照、加速退火及离散性对存储器电参数的影响研究

研究了过辐照和加速退火对存储器TID试验结果的影响,研究结果表明,额外50%剂量辐射和高温100℃168h退火是严格考核空间辐射环境下存储器TID效应的必要试验步骤。分析器件本身的离散性对TID试验结果的影响,提出在辐射前,对器件进行初始数据测试,得出器件参数的标准偏差。通过剔除使标准偏差明显变大的器件,可以减小存储器辐照后的离散性。综述分析了NASA报告中描述的TID试验结果,得出了存储器辐射后进行电参数测试时,读、写、擦模式的综合测试,比只读模式的测试更全面的反应出器件被辐射后的退化特性,并总结出了存储器辐射后电参数测试时应遵循的测试顺序。     

高加速应力试验用于倒装焊领域

倒装焊技术已被广泛地用于电子领域.对倒装焊而言,其焊点的可靠性、密封填充物与芯片或基板间的分层一直是特别重要的课题.介绍了一种加速环境试验--HAST,用于快速评价倒装焊接在FR-4基板上面阵列分布焊点的可靠性,试验结果说明HAST能够作为一个有效的可靠性试验评价工具用于倒装焊技术领域.     

TDL-Fi技术在城市公交中的应用

利用TDL-Fi设备,将LTE网络转化成Wi-Fl网络,实现所有具备Wi-Fi功能的手机、平板电脑、笔记本电脑等设备随时接入,目前杭州移动联合华为公司在杭州快速公交线上完成全球第一个TDL-Fieb交现网应用,覆盖60辆快速公交车及20个BRT站台,得到较好的网络表现。     

稳态总剂量效应(TID)试验剂量率选择的研究

通过调研分析,发现ESA/SCC 22900和MIL-STD-883G方法1019.7在剂量率的选择等方面存在较大差异。针对美国宇航局NASA发布的TID试验报告中总剂量及其对应的剂量率值进行统计分析,了解到不同工艺器件进行TID试验时采取多步骤辐射,辐射过程中所选择的剂量率几乎均小于1rad(Si)/s,且剂量率随总剂量不断改变。当总剂量低于30krad(Si)时,曲线分布没有规律,随机性较大;当总剂量大于30krad(Si)时,剂量率随总剂量的增加而增加,但不满足线性关系。针对不同剂量率辐射后器件失效机理的分析研究,得出器件在低剂量率辐射下失效的主要原因是界面态,而在高剂量率辐射失效的主要原因是辐射感生氧化物陷阱电荷。     

VLSI塑料封装失效分析与控制方法研究

塑封VLSI由于其固有的弱点,在应用过程中封装失效成为其重要的失效模式之一。通过大量的塑封VLSI失效分析实践,针对VLSI塑料封装失效,进行了快速定位技术的研究,总结出一套简化的失效分析程序。同时从引起塑封VLSI封装失效的根本原因入手,探讨了避免塑封VLSI封装失效的控制方法。