0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用

0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好.     

自对准GaInP/GaAs HBT器件

利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.     

基于模块抽取的大本体分块与映射

大本体规模过大,使得本体间映射复杂.针对已有方法在分块上的不足,提出一种基于模块抽取的大本体分块映射方法.通过建立本体依赖图的拉普拉斯矩阵来抽取本体模块,计算模块之间的相似度,实现分块映射.实验结果表明,该方法能有效实现大本体分块,提高映射效率.     

工程项目安全监理思路探讨

本文系统地介绍了安全监理的基本概念、3-作内容和工作原则、依据，并对目前建设工程项目中的安全监理的现状进行了初步分析。在上述分析研究的基础上，结合笔者对安全监理的理解以及多年的工作经验提出安全监理工作的思路。     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.     

自对准GaInP/GaAs HBT器件

利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.     

污水泵叶轮铸件气孔缺陷防止

正WQd70×10污水泵叶轮,材质为HT200,铸件重量14kg,外形尺寸φ210mm×160mm,铸件结构如下图所示。由于铸件结构的特殊性,2#芯的排气通道很小,其排气面积尺寸仅为80mm×20mm,主要铸件缺陷是气孔,缺陷位置分布在叶轮进水口的断面(图中A处)和铸件较厚的部位(图中B处),稍有不慎,浇注的时候还发生呛火现象,严重影响铸件质量,为消除铸件的此类缺陷,对其做了详细的工艺分析,按照制订的合理工艺措施实施后,基本消除了此类缺陷。     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

山西省的包装行业管理

山西省的包装行业管理山西省包装办公室赵爱英，王润梅管理工作，在计划经济条件下是不可缺少的重要手段，同样，在市场经济条件下更为重要。我国包装行业是新兴行业，而包装工业又是星罗棋步，跨行业、跨地区，自八十年代才逐步形成了自己独立的行业体系，目前还很不完善...