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混合封装电力电子集成模块内电磁干扰的屏蔽 总被引:3,自引:1,他引:3
混合封装有源电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。然而,IGBT与控制和驱动电路高密度地集成在一起,电磁干扰是非常重要的问题。研究发现,在IGBT开关瞬态,一个仅仅在直流母线和开关器件之间流动的高频环流是功率电路对控制和驱动电路产生电磁干扰的主要原因。为了抑制这个高频环流的影响,研究了在模块内施加平面电磁屏蔽层的作用和实际效果。结果证明,在模块内设计屏蔽层是改善模块内EMC,提高模块可靠性的有效和必要手段。 相似文献
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采用计算机辅助设计技术,优化设计了高频IGBT模块的内部结构;利用紧密的布局减小了分布电感;通过IGBT芯片的对称定位和连接路线的最佳选择,使分布电感量相等。同时,亦合理地设计了IGBT模块的内部结构件,改进了IGBT模块的封装工艺,使模块的热阻较小。 相似文献
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综述了电力电子集成技术目前的基本概念、研究的意义和现状等;列举了当前主要的研究机构和研究内容;分析了未来的研究方向。 相似文献
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芯片表面电极薄层脱落是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)封装模块的一种常见失效现象,因此对其失效机理分析与寿命的有效预测是整体器件可靠性评估中的一个研究要点。首先通过仿真分析了芯片表面电极的应力应变随功率循环载荷的变化情况,发现芯片表面铝电极薄层与引线的键合位置附近区域存在应力集中情况,且应力集中的位置与实验中失效样品的断裂位置一致。此外还发现应力集中区仅在起初的短时间内存在一个逐渐减小的塑性应变幅,随后由于材料硬化,塑性屈服点上移,直至失效塑性应变都不再变化,因此可以推测材料的断裂失效是由于稳定后的塑性应变和循环应力综合导致的,鉴于上述分析,提出了一种同时考虑材料硬化和应力疲劳的寿命预测公式,并采用其他两种条件下的实验寿命值评估了此公式的准确性,总体平均误差为1%。 相似文献
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寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率,介绍了有效抑制IGBT关断中过电压的新方法。 相似文献
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混合封装电力电子集成模块内功率电路对驱动保护电路的热影响 总被引:1,自引:0,他引:1
混合封装电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。IGBT器件与控制和驱动电路高密度地封装在一起,IGBT的发热对驱动保护电路会产生非常不利的影响,我们针对这个问题进行了研究。利用三维有限元法建立了模块内的传热模型,对不同发热功率下IGBT的结温以及驱动保护电路PCB的最高温度进行了计算和分析。另外,对功率电路与驱动保护电路PCB之间存在空气隙以及模块完全被密封后模块内的传热问题也进行了实验研究。 相似文献