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靶面化合物覆盖度的计算方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度。所有方程都用反应室结构参数和宏观参数表示,文中还给出了溅射沉积TiN薄膜的计算结果,结果表明与实验数相吻合,所建立的方法便于工艺优化的实施,属新的工程方法。 相似文献
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本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。 相似文献
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文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久,这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高能粒子的刻蚀效果不可忽视。理论分析与实验数据大致吻合,这证明新的反应室用于粉粒表面刻蚀和纯化都大大优于立式反应室。 相似文献
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介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果,分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉纯化具有应用前景。 相似文献
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大发酵时添加生香活性干酵母其总酯和各种酯的含量均有不同程度的增长,对提高酒质有积极作用。 相似文献
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在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响,讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。 相似文献
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