排序方式: 共有39条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
电路仿真中影响业务时延的因素很多,本文主要研究抖动缓冲器的性能对业务时延的影响。通过对抖动缓冲器建模、仿真,分析了仿真分组大小以及抖动缓冲器的存储容量和业务时延的关系并得出一些结论。在此基础上提出了划分缓冲子区的存储策略并证明了该策略的有效性。 相似文献
3.
4.
一、概述 我厂是八十年代末建成并投产的氨碱法纯碱生产厂,在建厂期间没有对建(构)筑物进行防腐设计及施工,生产初期,对建(构)筑物腐蚀的严重性又认识不足,加之资金短缺,没有及时防腐,致使建(构)筑物遭到严重腐蚀。如盐水车间、蒸吸工序、碳化工序及其周围的钢筋砼梁、柱产生顺筋裂纹及表面粉化;煅烧厂房、滤过厂房墙面水泥砂浆粉化脱落,尤其是窗台下的内墙面腐蚀最为严重,墙上的红砖已经腐蚀深达5cm左右,严重的地方整个墙的厚度所剩无几;煅烧厂房、成品包装厂房砼地坪粉化较为严重,并有大面积鼓泡脱落等。严重影响生产的正常运行。因此对建(构)筑物的维修和防腐蚀有着非常重要的意义。 相似文献
5.
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴. 相似文献
6.
7.
p/i和i/n界面对a-SiGe单结电池的性能影响较大,提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件,获得了效率为2.01%的a-SiGe单结电池。 相似文献
8.
电路仿真中影响业务时延的因素很多,本文主要研究抖动缓冲器的性能对业务时延的影响。通过对抖动缓冲器建模、仿真,分析了仿真分组大小以及抖动缓冲器的存储容量和业务时延的关系并得出一些结论。在此基础上提出了划分缓冲子区的存储策略并证明了该策略的有效性。 相似文献
9.
本文根据浮石混凝土小型空心砌块砌体轴心受压试验结果,分析了这种砌体的受力性能、破坏特征以及影响强度的因素,并给出了砌体轴压强度的计算公式. 相似文献
10.
本文讨论了现行规范梁端有效支承长度α_c计算公式存在的问题。根据试验提出了新的更符合实际的α_c计算公式。并研究了使用荷载和上部荷载作用下α_c的计算方法。 相似文献