DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量

本文推导了DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流幅度和上升前沿的关系表达式,并用我们设计的测试系统,对本所研制的质子轰击条形DH激光器进行了测试。对于90-15~#器件,在1.5倍脉冲阈值电流注入下,测得其电光延迟时间td为4ns,载流子自发复合寿命τ_sp为3.2 ns;对加有直流偏置的情况也进行了测试;还列出了另外几个器件的测试结果。从画出的测试曲线来看,与理论曲线符合得都比较好。     

(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究

在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.     

平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光

测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射.     

单腔双接触结构激光器双稳特性研究

本文从多纵模速率方程出发,在取定考虑有K选择的抛物带间吸收,增益系数的基础上,采用数值方法,对单腔双接触结构激光器的双稳特性的产生机理,以及影响它的两个最主要参数(即双稳区注入宽度和开关时间)的各种因素作了系统的分析. 稳态分析结果表明多纵模的工作状态将使双稳区注入宽度减少,而减少吸收区电注入或增大吸收区体积等可使双稳区注入宽度增大.瞬态分析结果表明,双稳开关过程可分为两个阶段,第一阶段谱宽大并伴有大幅度跳模;第二阶段占时较长,对双稳开关时间有较大影响,可通过加大增益区电注入来减少振荡衰减时间. 本工作为设计双稳器件,提高器件性能提供了基础.     

利在当代 功垂千秋

庆祝中国沼气协会成立十周年、表彰农业部农村能源建设先进集体和先进工作者及中国沼气协会优秀会员大会胜利闭幕了!我们对这次获奖单位和个人,表示热烈地祝贺!对多年来从事农村能源(沼气)事业的人们,表示衷心地感谢!     

GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性

本文首次报道了利用PnPn型GaAs/GaAlAs 激光器件实现光双稳及光开关工作的实验结果以及采用双光晶体管模型对于器件的光双稳、光开关作用原理的一般性分析.     

关于半导体激光器中光子密度的速率方程

一般常用的光子密度速率方程中并没有考虑法布里-珀罗谐振腔的相干增强效应.本文考虑了这个相干增强效应,得到的速率方程是光子密度的非线性微分方程.当谐振腔内光子密度很低时,新得到的经过修正的速率方程与一般常用的速率方程基本一致,但当谐振腔内光子密度较大时,这个修正因素不能被忽视.     

薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。     

Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.