用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究

在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛光液通过在硅溶胶中依次加入表面活性剂、无机碱、有机胺碱,再用去离子水稀释15倍配制而成,并应用于TSV图形片。实验结果表明:该抛光液对硅衬底的去除速率较高,达到1.045 μm/min;采用该抛光液对TSV图形片抛光120 s后,铜柱露出2 μm;抛光液储存时间30天后,硅衬底去除速率仅损失1.3%。该碱性抛光液满足半导体制造行业要求。     

基于临界失效能密度判据的热障涂层热震损伤行为研究

目的探索热障涂层系统(TBCs)在热震过程中的损伤行为。方法基于材料能量储存极限,推导了适用于平面复杂应力情形的温度相关性临界失效能密度判据,进而利用该临界失效能密度判据与ABAQUS有限元软件相结合,研究了热生长氧化层(TGO)凸起的热障涂层系统在冷却热震过程中的损伤行为。结果对于TGO层凸起的热障涂层系统,计算了冷却热震过程中陶瓷层(TC)和TGO层的失效能密度分布云图,并根据最大失效能分布情况分析了TBCs在热震过程中各层材料的可能破坏位置,所得结果与实验吻合较好。在对TBCs的冷却热震损伤行为模拟计算中发现,当TC层的强度比较低时,热震会使TC层上表面产生往内部扩展的垂直裂纹;当TC层强度达到某一定值时,首先发生热震破坏的位置由TC层上表面变成了TGO层与粘结层(BC)的界面处,即TBCs的各层破坏顺序发生了变化。结论使用临界失效能密度准则来判断热障涂层在冷却热震过程中的损伤行为,比单纯使用某一方向应力更为准确,并能准确判断损伤起始位置和演化情况,从而更全面地反映热障涂层在热震过程中的损伤破坏行为。     

钢包渣中的氧化物与氮反应的热力学研究(一)

通过对钢包渣中Al2O3,B2O3,TiO2等氧化物与氮反应的理论计算可知:还原性钢包渣的氧化物在低压的情况下可与氮反应,对钢液脱氮有利;钢液在深脱氧的情况下,熔渣中氧化物能较好脱出钢液中的氮;其中B2O3,TiO2两种氧化物对钢液脱氮的促进作用比Al2O3强.     

钙钛矿太阳电池吸收层制备工艺

有机/无机杂化钙钛矿太阳电池因具有高光吸收系数、高转换效率以及低制备成本等优点引起了科学界的广泛关注.综述了近年来有机/无机杂化钙钛矿吸收层几种制备工艺的研究进展,重点分析了目前应用较为广泛且制备工艺相对简单的一步溶液法和两步连续沉积法的工艺条件对钙钛矿薄膜质量及太阳电池光伏性能的影响,并详细介绍了几种制备工艺存在的主要问题及其调控的研究现状.此外,对后续工艺中的有机空穴传输材料及其溶剂、添加剂对钙钛矿太阳电池稳定性的影响及其调控的研究现状进行了简要阐述.为更好地提高钙钛矿太阳电池的效率和长期稳定性,制备工艺的优化和创新是未来钙钛矿太阳电池发展的趋势.     

硅通孔抛光液的研究进展

硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光液主要包括铜膜抛光液和阻挡层抛光液,依据抛光速率和抛光质量(表面粗糙度、碟形坑修正等)的要求对其进行了分类讨论,概述了近年来TSV抛光液的研究进展,对其今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,认为TSV抛光液应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本、环境友好的方向发展。     

两步电镀铜对Cf/Cu复合材料的复合效果的影响

通过对碳纤维表面进行空气热氧化短处理,然后采用两步镀铜法对纤维表面进行电镀铜,有效的避免了普通镀铜方法中常见的“黑心”现象,使得纤维束内部单丝获得了均匀连续的镀铜层,而且纤维与镀铜层之间结合牢固．经两步镀铜处理后的碳纤维复合丝与铜基体复合后,碳纤维/铜复合材料中常见的严重纤维偏聚现象得到很大改善,获得了Cf／Cu界面结合良好,纤维分布均匀的铜基复合材料．     

U盘自动备份

最近同事小刘很是苦恼,因为他用了多年的U盘丢失了。为此他还在我们的地方论坛发帖寻找过,却一无所获。他向我询问了一些备份的办法,不过他都感觉比较繁琐,因为他每天都会处理一些文档资料,如果一份份海贝的话挺麻烦的。而且他希望拷贝过来的文件的日期最好是他修改的日期,便于回家完成没有完成的文档。他还提出一个更加苛刻的要求,就是设置—次后,插上U盘就不用再管什么了’让电脑自动拷贝。经过实验后,我郑重向他推荐了GoodSync。     

美国白肋烟和我国白肋烟质量初步比较

美国白肋烟样品是我国烟草工业考察组一九七九年七月从美国带回,该批样烟有未处理的烟叶样品和由美国浸料处理后的样品二种,为了弄清美国白肋烟的质量,我们对上述二种白肋烟样品进行了分析鉴定,并与我国白肋烟进行了比较。     

硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究

利用极化曲线测量法研究了甘氨酸和过氧化氢浓度及pH对硅通孔(TSV)化学机械平坦化(CMP)中铜腐蚀的影响。结果表明:甘氨酸对铜的腐蚀随其浓度增大而增强;随着过氧化氢浓度增大,铜腐蚀电位逐渐增大;在p H为10时铜的腐蚀效果最佳。CMP实验表明,在不同浓度的甘氨酸和过氧化氢之下,抛光速率可调,达1.9~5.8μm/min,铜表面粗糙度为5~29 nm,铜钽去除速率比为20~50。