Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。     

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析

分析了第一激发态在势垒以上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声,讨论了它们对探测器性能的影响。     

高纯三乙基铝和三乙基镓的研究

<正> 一、引言随着半导体工业的日益发展,材料制备工艺已朝着简便和有效的方向发展,金属有机化学气相沉积(Metalorganic ChemicalVapor Deposition——MOCVD)具有操作简单灵活和生长温度低等特点,已成为目前国际上生长各种新型结构的Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体材料中最令人关注的一项新工艺。而MOCVD 工艺中需要的关键原材料之一——     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

浅谈肉松的加工工艺

我厂生产的《黄桥牌肉松》是江苏省和商业部优质产品。其特点是:纤维疏松呈绒丝状,色泽金黄带有光泽,食之油重酥润、咸甜爽口。生产肉松的加工工艺如下: 一、原料选择选用经兽医检验合格的新鲜猪后腿肉、夹心精肉或冷冻分割肉。