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应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 相似文献
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在进行PNP型SiGe HBT的设计时，通过改变Ge组分而改变能带结构，而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式：三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析，认为其它条件相同时，梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大，而且梯形和三角形随Ge的增大而增大，但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小，本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 相似文献
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毫米波多输入多输出的混合预编码是降低硬件复杂度和能量消耗的重要方法.为降低优化处理的复杂性并提升频谱效率,提出了一种支持深度学习的混合预编码优化算法.为了消除子信道之间由信噪比差异导致部分子信道误码率较高进而对整体误码率产生的不良影响,通过基于块对角化的几何均值分解和深度神经网络的训练来选择混合预编码器,将预编码器的优... 相似文献
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利用对阵元间距要求相互矛盾的空间复用和波束形成两种技术,提出了组合波束形成的空时码发射方案,有效发挥他们各自的优势．通过对发射天线子阵不同划分的研究表明,将发射天线分成多个子阵,可以从波束形成获得分集增益,从空是复用获得复用增益．性能分析和仿真结果都表明,基于单一子阵划分的发射方式其性能严重依赖于波达方向和角度扩展,而基于多子阵划分的发射方式不受波达方向和角度扩展影响,性能保持稳定．当波达方向为0°,角度扩展为50°时,与单子阵划分相比,基于多子阵划分的系统性能提升近12dB．若角度扩展变小,则性能改善更明显． 相似文献
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