亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.     

一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨

本文从技术和技术管理的角度，研究探讨了一条多电路品种的ＣＭＯＳ科研开发线的运行机制。从多方面阐述了为保持这样一条件研开线高水平，高效益运转所必须考虑的一些基本准则。本文阐述了一种自调整高效运筹法，介绍了该方法的基本要点，运算实例以及与习惯方法相相比较所具有的优点。     

OYSTER:一种研究集成电路三维结构的程序

本文介绍了一种用于超大规模集成电路器件制作步骤的参数模拟和分析的程序系统设计(OYSTER)。这个程序系统根据立体几何模拟方法,把每一制造步骤中的集成电路组成元件都描述为几何数据库中的三维结构。制造步骤模拟就是把数据库表示的几何形状及组成元件之间的关系从某一制造工序之前的状态变换到该工序完成后的状态。在任何一道工序,特别是在最后一道工序完成之后,可以自动地分析构成电路的元件,以确定几何的、机械的,热的和电学的性能。为了研究对准公差的情况可以引入统计的结果。本文叙述了一个实验性研究,在该研究中,使用现有的几何模拟系统把场效应晶体管器件要经过的二十八道工序所需要的一套平面掩模变换成三维模型,使用此模型可计算器件的电容。     

CMOS SRAM存储单元研究

阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测了技术发展趋势。     

2微米CMOS工艺工程技术研究

本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺工程技术。工艺工程技术包括:(1)器件设计,亦即器件的纵向横向结构参数和主要电参数的设计;(2)工艺设计规则设计;(3)器件电路的工艺流程设计     

C-H-MOS已进入动态RAM的制造领域

高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器     

FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

本文首先从理论上分析FLOTOX EEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOX EEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象.对于低的擦写电压,擦除阈值减少,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷;对于高的擦写电压,擦除阈值增加,产生了正陷阱俘获电荷.这一结果与SiO₂中电荷的俘获——解俘获动态模型相吻合.     

浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理,并提出了改进EEPROM保持特性的措施.     

MOS工艺工程技术研究

本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程技术研究的核心,就是要解决把单项工艺技术与器件技术综合起来,并转化成集成电路产品的过程中所碰到的关键技术问题。它具有一定的系统性,既要遵循科技发展规律,又要遵循经济发展规律。     

MOS器件的窄沟道效应

本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的阈值电压的变化论证了这些现象和机理。本文还叙述了在实际的MOS器件电路制造中,合理地选择工艺参数和工艺条件,可以减弱窄沟道效应。