VB-GaAs单晶生长技术

半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管.对于激光二极管而言,特别需要低位错材料.简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术.本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长,拉制的50 mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500 cm-2,最大为1000 cm-2.     

VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制

低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式。按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度。     

VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制

结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.     

用于超高温晶体生长炉的钇锆固溶体陶瓷

自主研制出了可用于超高温晶体生长炉温场的高纯钇锆固溶体陶瓷制品,在真空、保护气氛、空气环境使用温度达到2 650℃,反复升降温周期使用寿命达到3年,较金属温场提升6倍寿命.以使用该陶瓷制备的温场生长120 kg级晶体为例,其晶体生长周期较金属钨钼温场缩短约25％,节省能耗40％以上,同时还可避免金属材料高温时出现的过收缩、破裂等问题,提高了安全性和生产效率,并且实现了材料的绿色环保和循环利用.     

LED用GaAs抛光片清洗技术研究

伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大.研究了一种有效的直径5.08 cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声温法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面.表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3 μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8 nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2 nm厚表面氧化层.