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a—SiNx:H薄膜对a—Si:H TFT阈值电压的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明:a-Si:HTFT的阈值电压随a-SiNx:H的膜厚增加而增大;增大X-SiNx:H薄膜淀积时NH3/SiH4气体流速比,可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 相似文献
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