一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器

本文提出了一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器,通过采用电流比较技术和自动消失调技术,该灵敏放大器在低电源电压下获得了很好的性能,改善了低电流阈值窗口存储器的读取速度。基于上海宏力半导体制造公司130nm的嵌入式闪存工艺,该灵敏放大器的感应时间在1.5V的电源电压下达到了0.43ns,其感应速度比传统的灵敏放大器提高了46%     

一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法

随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。     

采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器

提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性.     

基于共振隧穿二极管的TSRAM设计

介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理.讨论了n MOS,p MOS和CMOS作为单元里的选中管的特点,综合考虑面积和功耗后,发现n MOS是选中管的最佳选择.设计了基于RTD的TSRAM系统结构.模拟显示了这种新型存储器具有高集成度、高速和低功耗的优势.     

基于SiGe量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.     

利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性

在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右.     

一种降低电源峰值电流的电荷泵电路

为了降低电荷泵电路启动过程中的峰值电流,本文提出了一种具有低峰值电流的电荷泵电路。该电路中采用N-相位时钟电路,产生N个相位不交叠的时钟信号,使得电荷泵启动过程中时钟电路仅对一个电容进行充放电,从而有效减少了电源峰值电流。Hspice仿真结果表明,电荷泵电路级数为4时,所提出的电路能够将电源峰值电流减少约50%。     

电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 ,提供了理论和实验基础     

电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FLASH在擦操作的过程中,带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱),影响电路的可靠性.利用电荷泵方法,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布,为FLASH单元设计与改进可靠性,提供了理论和实验基础.     

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。