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Growth of GaN on Magnesium Aluminate Substrate by LP-MOVPE 总被引:1,自引:1,他引:0
Epitaxial GaN films have recently attracted much attention due to their optoelectronic applications in the blue/ultraviolet region and for their high temperature stability.High-brightness blue and green light emitting diodes(LEDs) have already been made commer-ciallyava... 相似文献
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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰 总被引:2,自引:0,他引:2
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化.第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度均小于10um.讨论了形成计形峰的可能机理. 相似文献
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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光锋 总被引:2,自引:0,他引:2
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,了它的发光峰形态的变化,第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激光谱和发射光谱,其半峰值宽度小于10nm,讨论了形成针形峰的可能机理。 相似文献
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