声表面波器件中非同步区域体波散射的抑制

用有限元/边界元法(FEM/BEM)研究了表面波器件中非同步区域中体波散射引起的损耗。以典型的hiccup单端对谐振器作参考结构,用结构参数缓慢变化的间隙取代其中间的自由间隙。研究发现,改变间隙参数可在保持谐振频率不变的同时,提高谐振器的品质因数值。对分布间隙和风琴间隙两种间隙结构进行对比,结果表明,前者优于后者。将传统DMS滤波器中的金属化间隙以分布间隙取代,可找到一个优化的分布间隙结构,使插损提高0.3 dB。     

周期栅格中的场与COM参量提取

从耦合模式模型(COM)方程出发,得到周期短路栅格与开路栅格中场分布的解析表达式,利用给出COM参量,研究了场分布的特征,通过对解析表达式和典型频率的场分布图形的研究,找到与场分布有关的一些特征量,并将这些特征量与COM参量通过一定的解析关系联系起来.在用其他方法得到了周期栅格中的场分布时,可拟合场分布包含的这些特征量从而得出对应的COM参量.该文给出了一种从场分布提取随频率变化的COM参量的方法.     

Precise and full extraction of the coupling-of-mode parameters with periodic Green''''s function

Due to the more and more stringent requirements on surface acoustic wave (SAW) filters performances, recently considerable attention has been focused on the investigation of low-loss SAW filters in the last decade. Most low-loss filters, such as single phase unidirectional transducers (SPUDT), employ the electrodes multi-reflection effects to realize low insertion loss. In the design of low-loss filters, the phenomenological coupling-of-mode (COM) model[1] method is frequently used. Its …     

利用有限长FEM/BEM提取COM参量

0引言声表面波(SAW)器件作为移动通信系统的核心元器件获得了广泛应用。耦合模式(COM)模型是目前低损耗射频SAW器件设计的主流工具,COM参量的精确与否直接决定了器件模拟的精度。传统的COM参量是常数,能够很好地模拟瑞利波器件;但对于漏波器件,声波传播中不断向基片体内泄漏的能量随频率变化,而且漏波的传播特性也是色散     

声表面波存贮相关卷积器的研制

本文介绍了ＬｉＮｂＯ３抽头延迟线（ＴＤＬ）外接ｐ＾＋ｎ二极管阵列结构的声表面波（ＳＡＷ）存贮相关卷积器。器件的中心频率为３０ＭＨｚ，卷积效率为－５４ｄＢｍ，存贮相关效率为－７６ｄＢｍ，信号存贮时间大于７０ｍｓ。文中讨论了杂波产生的原因及其抑制，以及二极管阵列少子寿命与存贮时间的关系，计算了相关输出与参考信号和读信号的关系，结果表明这种结构的器件是双线性的。文中还对这种结构器件的设计及优化提出了建议     

基于有限长FEM/BEM提取COM参量

介绍了一种理论提取耦合模式模型(COM)参量的方法。利用有限长有限法/边界元法(FEM/BEM)计算声表面波同步单端对谐振器的导纳曲线,根据导纳曲线与表面波色散特性相关的特征量,通过解析计算、单变量拟合、再次单变量拟合及两变量拟合4个步骤依次提取出全部COM参量。与传统方法相比,该方法简单、稳定、可靠。根据得到的COM参量对一种混合结构的滤波器进行了模拟,与直接使用FEM/BEM得到的结果符合较好,验证了所提取的COM参量的准确性。     

表面声波器件的回顾与展望

一、引言 表面声波器件自六十年代中期问世以来,由于它的实用价值,获得了迅猛发展,到七十年代初期就已出现在实际系统中,到七十年代中后期,研究已基本成形。就全世界的产值而言,在1975年约为一千万美元,1985年达一亿美元,据C.S.Hartmann〔1〕估计,到1995年将达十亿美元,在此形势下科研工作者要问:“表面声波长否已经只是开发,试制问题,而不再需要基本研究?”工业界则问:“电视中频滤波器以后的下一个批量产品是什么?”人们都想知道,表面声波器件的前途研究如何,高速规模集成电路会不会取代它。本文试图就这些大家所关心的问题作些探讨。 …     

LiNbO_3/p~ n diode surface acoustic wave memory correlator

A detailed theoretical analysis of strip-coupled LiNbO3/p n diode surface acoustic wave (SAW) memory correlator in the parametric mode is presented. The influence of some important factors on correlation output is analyzed and calculated, including the amplitudes of reference, read and write signal, duration of write signal and doping density of the diode array. The conclusions can be employed for the design of improved strip-coupled SAW memorycorrelators.     

漏波和高次谐波的耦合模式模型公式的严格推导

表面波理论中,广泛采用耦合模式(COM)模型来描述指间多次反射效应.现有COM模型是建立在一个简化基础模型上的,其简化包括1)耦合反射系数k和换能系数a均假定为常数以保证偏微分方程有解,而实际上它们是空间位置的函数;2)传播常数k假设为实数,但对漏表面波,k应为复数.为此,本文严格推导了COM理论公式,得到了耦合反射系数的谐波级数展开,由此可以重建指条反射系数的空间分布,同时将周期栅格阵下的COM方程推广到波传播有体波泄漏的情况,即包括漏波和Rayleigh波高次谐波的情形.最后给出一个实例,对一种单向单相换能器的基本单元计算了其耦合反射系数和换能系数,该结果证实了本文的推导.     

基于FEM/BEM方法的表面声场体波模式数值研究

采用有限元/边界元法(FEM/BEM),分析了有限长叉指换能器在半无限大压电晶体128°YX-LiNbO3中激发的表面波和体波在晶体表面上的分布情况。通过对频域内表面声场的分析,得到了表面上三个位移场分量含有的声波模式,对相应时域内各场分量的体波脉冲振幅进行处理,详细分析了各个模式的体波脉冲振幅随时间的分布关系。结果表明,除Rayleigh型表面波外,各场分量中还包含不同成分和比例的体波模式;在场分量1和场分量3中占主要成分的准纵波,以及在场分量2中占主要成分的准慢切变波,在表面上其传播损耗以指数衰减。