一定可视角的超高亮度蓝光LED

报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×104cd/m2,可视角为98°.     

生长温度对ZnO薄膜结构的影响

在不同温度下，利用射频等离子体增强型MOCVD系统，在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜，并通过XRD，SEM手段对生长温度与样品的生长速度，表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究，优化了薄膜的温度生长参数，当生长温度为520℃时，ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低，当温度为550℃时，可生长出O：Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜。     

适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)为 4 0nm。