衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响

利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。     

基于外围护结构性能的住宅建筑能耗模拟分析

本文采用e QUEST模拟软件对某住宅建筑不同外围护结构条件下的冷、热负荷情况进行模拟,通过与原建筑模拟结果对比,得出外墙传热系数、外窗传热系数、综合遮阳系数、屋面等因素对其能耗的影响,分析了每个因素对住宅建筑负荷影响的权重,供同类建筑设计、外围护结构选型时参考。     

正交法在全空气定风量系统中的应用

为了研究影响全空气定风量系统的因素,需要进行大量的模拟试验,但这会花费大量的时间和经历。为此,可以通过设计合理的试验,并建立合理的模型,进行模拟计算,从而能得出较为准确的结果。采用正交实验法,减少了模拟次数,得出影响全空气定风量系统的主要因素和次要因素;运用De ST软件进行能耗模拟,根据不同地域、不同建筑功能及不同围护结构的合理搭配,得出一个最适合采用全空气定风量系统的建筑。在今后研究中,还可以根据不同的影响因素,通过模拟计算,得出不同空调系统的能耗,从而选出最合适的系统。     

镱银阴极对顶发射白光OLED器件光电性能的影响研究

研制了以镱银合金为透明阴极的顶发射白光OLED器件。采用ITO/NPB: LiQ（5%）（10 nm）/TCTA（20 nm）/FIrpic+3.5% Ir(ppy)₃+0.5%Ir(MDQ)₂(acac)（25 nm）/TPBI（10 nm）/LiF（5 nm）/Yb: Ag (X%)（X nm）器件结构,在相同镱银比例下,蒸镀不同厚度的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,获得了优化的镱银合金厚度为12 nm;固定镱银阴极厚度,蒸镀不同比例的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,探究不同比例的镱银合金对有机电致发光器件的影响。结果表明,当镱银电极的掺杂比例为10:1时,器件的性能最佳,在20 mA/cm2电流密度下,器件的驱动电压为2.3 V,亮度为1406 cd/m2,色坐标为(0.3407, 0.3922)。     

顶发射绿光OLED器件制备及其光电性能研究

实验制备了结构为多层阳极/EHI608/NPB/Alq3:ELL/ETL1/LiF/Mg:Ag/CPL的硅基绿光有机电致发光OLED器件,研究了不同掺杂浓度对器件驱动电压、亮度、发光效率和EL光谱影响.在此基础上,通过在阴极上制备了一定厚度的阴极耦合层CPL,并研究了阴极耦合层对OLED器件微腔效应影响.结果 表明,随着发光层掺杂浓度的增大,器件驱动电压、发光亮度和效率逐渐增加,并出现EL光谱发光峰位红移.同时,随着CPL厚度增加,多层膜系ETL/EIL/Mg:Ag/CPL透过率逐渐增加,当阴极耦合层CPL厚度在30 nm时候,多层膜系结构的透过率和透过频带较高,多层膜系透过率光谱坐标接近白光(0.33,0.33)等能点.此时,顶发射绿光OLED器件在不同视角下EL光谱的蓝移现象最大限度得到了抑制,且EL光谱半峰宽明显增加.     

单晶硅制绒的实验研究

为制备具有理想金字塔织构表面的单晶硅,采用原硅片、碱体系抛光硅片、酸体系抛光硅片分别在氢氧化钠/硅酸钠/异丙醇(NaOH/Na2SiO3·9H2O/IPA)体系、NaOH/IPA体系、碳酸钠/碳酸氢钠(Na2CO3/NaHCO3)体系下对单晶硅表面织构进行实验研究。利用智能型数字显微镜对表面形貌进行观察,利用紫外-可见-近红外分光光度计测量反射光谱。结果表明:酸体系抛光硅片的表面较为平整,再通过NaOH/Na2SiO3·9H2O/IPA体系制备的金字塔绒面结构完整、排布紧密、大小一致,且具有较低的反射率。     

顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP∶Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg∶Ag.为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能.研究表明,在掺杂比分别为1.0％、1.5％、1.8％、2.0％、2.3％、2.5％的绿光OLED器件中,2.0％的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1∶0.02,主体材料薄膜厚度为250(A).在20 mA/cm2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622 cd/cm2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61).     

RF磁控溅射制备N掺杂Cu2O薄膜及光学特性研究

利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为300℃时,低N2流量(12sccm)下沉积的薄膜结构为Cu2O和CuO的混合相,N2流量增大至12sccm时薄膜结构转变为单相的Cu2O;不同N2流量下制备的薄膜均呈现三维的结核生长模式,其表面粗糙度的均方根(RMS)值依赖于N2流量,低N2流量下薄膜表面粗糙度的RMS值随N2流量的增大而增大,高N2流量下,RMS值随N2流量的增大而减小,并在一定N2流量范围内趋于稳定;不同N2流量下制备的薄膜均在475nm附近出现发光峰,峰的相对强度随N2流量的增加而减弱,峰位随N2流量的增加出现蓝移,薄膜的光学带隙Eg约为(2.61±0.03)eV。     

周期性梯度富硅SiNx薄膜的微结构与发光特性

采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiN_x薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiN_x薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性。Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明, 梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7%和39.2%; 梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍。FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜, 梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜。PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜。     

高性能顶发光OLED器件复合阳极的研究

顶发光OLED器件是有机光电显示领域的重要组成部分,其阳极结构及性能对OLED器件的性能具有至关重要的影响.本文介绍了近年来顶发光OLED器件阳极的结构、材料及性能改善等领域的研究进展.结合顶发光OLED器件阳极的工作原理和器件质量要求,设计了不同结构的顶发光OLED器件复合阳极,并采用TFCalc光学模拟软件和SimOLED模拟软件对不同结构复合阳极的光学性能及其器件性能进行模拟分析,获得了较优的顶发光OLED复合阳极结构,其结构为Al/ITO/MoO3,Al/Co/MoO3,Al/Ni/MoO3,Al/MoO3.