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本文基于热力学平衡计算,首次给出以DMZn和H2Se为源,MOVPE生长ZnSe的相图.文中讨论了ZnSe单一凝聚相区的范围,以及可能出现ZnSe(s)+Zn(s)或ZnSe(s)+Se(l)两种双凝聚相区的条件. 相似文献
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用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度. 相似文献
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提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了NH3的分解效率,并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程.计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响.计算表明,几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中,而In则富集在气相.为增强铟的并入,应采用低的生长温度,高的Ⅴ/Ⅲ比,氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解. 相似文献
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本文对MOCVD生长Hg1-xCdxTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方面表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几乎纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP 相似文献
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Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN 总被引:1,自引:0,他引:1
Group - nitrides are very importantmaterials,which are applied to the fabrication ofgreen,blue and ultraviolet light emitting diodes(L EDs) and laser diodes(L Ds) [1 ] .Inx Al1 - xN alloy is a kind of promising material for Ga N- based... 相似文献
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Thermodynamicanalysisforthegrowthprocessalwaysplaysanimportantroleinbetterunderstandingofanycrystalgrowthtechn... 相似文献