PEG模板组装纳米TiO2多孔薄膜的制备

以钛酸丁酯为无机原料,加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板剂,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10 nm～1 000 nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过SEM,AFM,UV-VIS和N2吸附等测试手段对薄膜的多孔结构进行了表征.结果表明,通过调节溶胶中PEG的分子量和浓度,可以控制薄膜中孔的孔径及孔分布密度,有效提高薄膜的比表面积.此外还考察了提拉速度和焙烧制度对薄膜多孔结构的影响.     

ZnO薄膜的制备及其光学性能

以柠檬酸为络合剂、采用无机盐溶胶 -凝胶法 ,在玻璃基片上用提拉法制备了多孔ZnO薄膜。利用红外光谱、DTA -TG、XRD、SEM、UV -VIS透射等分析测试 ,考察了溶胶 -凝胶制备特征、热处理过程和热处理温度下薄膜的成相、表面形貌以及光学性能。结果表明 4 0 0℃热处理 1h的ZnO薄膜已开始晶化 ,晶型是六方纤锌矿 ;6 0 0℃热处理 1h的薄膜表面为多孔结构 ,粒径和孔径均匀 ;在可见光范围 ,薄膜的光透射率超过 85 % ,在波长 380nm开始出现紫外吸收 ;从而为该材料制作染料敏化的太阳能电池阳极薄膜打下良好的基础。     

SILAR法制备无机化合物薄膜

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺－SILAR法（连续离子层吸附反应法），该方法设备简单，成本低廉，成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理，对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。     

氨水和NaOH水溶液中生长ZnO薄膜的对比研究

研究在Zn(NO3)2/NaOH和Zn(NO3)2/NH3H2O水溶液体系中ZnO薄膜的生长条件.通过X射线衍射仪和扫描电镜对薄膜进行了表征.两种碱性体系生长的薄膜是六方纤锌矿结构;晶体垂直于衬底沿(002)方向择优生长,随着生长溶液浓度的增大,薄膜柱晶的直径会逐渐增大.NaOH系统生长的ZnO薄膜厚度较薄,致密度较小,NH3H2O系统生长的薄膜中棒晶排列较为密集.对于NaOH生长系统,锌的浓度由于受到限制,导致生长的柱晶直径较小.氨水系统中由于[Zn(NH3)4]2 的缓冲作用,获得的ZnO晶粒直径可以在纳米到微米范围内变化.     

非水溶液SILAR法制备氧化钛薄膜

通过改变连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,以TiCl4的乙醇溶液为前驱体,于玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.使用扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了观察,采用XRD分析了薄膜的晶体结构.该方法制备的薄膜致密、表面平整,沉积的薄膜为无定形态,550℃热处理为锐钛矿相TiO2.     

聚乙二醇含量对纳米TiO2多孔薄膜性质的影响

以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇(PEG)作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过ESEM,AFM,UV-VIS,N2吸附,XPS和XRD等测试手段研究了PEG(1000)的加入量对薄膜结构及性能的影响.结果表明,当100mL溶胶中PEG的加入量在4.0g左右时,可以得到三维扩展的多孔结构,孔的形状规则且分布均匀,孔径为200～500nm,薄膜比表面积可达76.1m2/g,而过多的PEG加入量反而导致薄膜性能下降.     

模板组装纳米TiO2多孔膜及形成机理

以钛酸丁酯(TBTi)为原料，加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板，采用溶胶-凝胶技术合成了孔径10～500nm可调的纳米TiO2多孔薄膜。扫描电镜(SEM)观察结果表明，合成过程中水含量增加形成的薄膜孔密度减小，而PEG加入量的增加，薄膜表面孔径和孔密度增大。通过红外光谱测试对溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化进行了系统的分析，初步探讨了薄膜多孔结构的形成机理。     

组成改性对BaO·Ln2O3·nTiO2介质材料温度稳定性的影响

在Ba4.5Nd9Ti18O54主相中引入Bi2O3,Pr2O3改性添加剂,考察了改性离子对材料温度稳定性的影响,研究表明:随Bi2O3含量的增长,介电常数εr显著提高,谐振频率温度系数τf呈V型变化,这与[TiO6]8-八面体畸变程度和Bi2O3在材料中的固溶限相关:在含Bi2O3的体系中引入适量的Pr2O3,温度稳定性得到较好改善,并提高了介电常数.     

Nb、Si、B含量的联动调整对Finemet型薄带结构及性能的影响

本文用V部分替代Nb并适当调整Si与B的含量,通过单辊快淬技术及退火工艺制备了原始成分为Fe73Si15Nb3B8Cu1和优化成分为Fe73Si15.5Nb1.1V2.4B7Cu1的Finemet型非晶纳米晶薄带。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、磁性能测试仪研究了薄带的结构及磁性能。结果表明：两种快淬态薄带主要为非晶结构,合金具有良好的非晶形成能力;采用Luborsky法评价薄带韧性,发现含V的快淬态薄带的断裂应变λt为5.05×10-2,其韧性较差;两种退火态薄带中的纳米晶晶粒大小分别约为14.8 nm与13.2 nm;与原始成分薄带相比,含V薄带的居里温度Tc,晶化起始温度Tx1有少量降低;含V薄带的饱和磁化强度略低于原始薄带,但是其矫顽力较小,其环形磁芯样品静态初始磁导率为1.269×105、静态损耗为1.748 J/m3,动态测试显示,随着频率的增加,含V薄带损耗较原始薄带小的优势更加明显。     

连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

采用液相薄膜制备工艺——连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜．采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察．实验结果表明：SILAR法制备薄膜的生长速率约为3nm／cycle。(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)／n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关。随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大。通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜。