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采用溶胶-凝胶工艺成功地制备了纯钙钛矿结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3(简称PMNT)弛豫型铁电陶瓷薄膜,分析了溶胶先驱体中铅含量对PMNT薄膜钙钛矿结构稳定性的影响规律,表明热退火过程的氧化铅气氛层覆盖技术对获得纯钙钛矿结构PMNT薄膜材料至关重要,系统测试了纯钙钛矿PMNT薄膜材料的铁电和介电性能,提出弛豫型铁电PMNT陶瓷薄膜制备中晶粒自由结晶和异常生长动力学机制. 相似文献
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过量PbO对TGG法定向生长PMNT多晶体动力学影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用传统陶瓷工艺和添加过量 Pb O的 TGG方法实现了 PMNT多晶体沿 <0 0 1>方向的定向生长 ,对多晶体定向生长的动力学进行了详细的研究。结果表明 ,PMNT多晶体定向生长的厚度随过量 Pb O的增加而线性增加 ,它的生长是热激活扩散与溶解 -沉积过程二者综合作用的结果。只要选择适当的生长时间 ,在 PMNT基体中添加过量的Pb O,不但不会影响陶瓷的组分还可以显著提高多晶体的定向生长速度。而且 ,PMNT多晶体定向生长厚度与生长时间的 1/3方呈线性关系 ,属于典型的扩散控制的生长行为。实验表明 ,采用添加 2 0 %过量的 Pb O、在 115 0℃生长10 h是制备 PMNT取向多晶体较为合适的工艺条件 相似文献
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采用固相合成工艺制备了(1–x)[0.82Bi0.5Na0.5TiO3–0.18Bi0.5K0.5TiO3]–xSb2O3(BNKT–xSb)压电陶瓷,研究了Sb2O3掺杂对BNKT陶瓷的显微结构和电学性能的影响规律。研究表明:Sb2O3掺杂量x小于0.020时,不改变基体的钙钛矿结构,且Sb具有可变化合价,能形成"施主"和"受主"2种掺杂而起到"软化"或"硬化"的作用。当Sb2O3掺杂量x≤0.005时,其压电系数d33随Sb2O3掺杂量的增加而增大,此时Sb2O3表现出了"软化"的特征;当Sb2O3掺杂量x〉0.005时,d33降低,从而又表现出了"硬化"的特性;当Sb2O3掺杂≥0.010时,诱使陶瓷室温下反铁电微畴的形成,导致铁电性和压电性的骤减。 相似文献
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采用聚合物包覆热分解法化学工艺制备了纳米氧化锌,对其工艺进行系统的比较研究,对所得粉体进行XRD与SEM表征。发现利用该工艺所得粉体为六方晶系纤锌矿结构(空间群为P63mc)的纳米氧化锌。该方法制备的氧化锌衍射峰尖锐,表明此种方法合成的氧化锌结晶程度高。所得的氧化锌粉体XRD图谱中没有杂质衍射峰,说明产物纯度都很高。产品SEM表征结果显示了此工艺产物在形貌方面的高度一致性——为菊花状氧化锌纳米杆团簇,对产物形貌形成的原因做了探讨。 相似文献
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类金刚石薄膜的激光损伤特性及工艺优化 总被引:1,自引:1,他引:1
采用脉冲真空电弧沉积(PVAD)技术制备了类金刚石(DLC)薄膜,并对其抗激光损伤特性进行了研究,优化了制备工艺.对DLC薄膜激光损伤阈值(LIDT)的测试结果表明,随着厚度的增加,薄膜的LIDT开始呈下降趋势,当厚度达到100nm以上时,则趋于一个稳定值.正交实验结果的处理和分析表明,在所给定的工艺参数范围内,主回路电压是影响DLC膜抗激光损伤性能的最主要因素,基片温度、清洗时间和脉冲频率则影响较小.为得到较好的抗激光损伤能力,采用PVAD技术制备DLC薄膜的最佳工艺参数为:清洗时间20 min、基片温度150℃、脉冲频率5 Hz、主回路电压150 V.退火处理会使DLC薄膜的激光损伤阈值明显提高. 相似文献
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用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2Nb12)0.63Ti0.37O3,简称PINT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2O3)作为助熔剂获得尺寸达5mm的纯钙钛矿相结构PINT单晶体,利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构,测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。 相似文献