轻烧粉与硝酸铵制备高纯度氢氧化镁产品研究

现今我国高品质氢氧化镁一直依赖进口,因此,寻求简洁、高效的生产工艺制备氢氧化镁阻燃剂成为了亟待解决的问题。本文以轻烧粉和硝酸铵采用氨水法在2.2∶1的氨镁比、100℃蒸铵温度以及沉镁温度60℃、通氨速率为6L/min条件下获得的最佳实验条件。     

SOC用400-800MHz锁相环IP的设计

设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块.电路输出频率在400～800 MHz,使用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行流片.芯片核心模块工作电压为1.8 V和3.3 V.根据Hajimi关于VCO中抖动(jitter)的论述,为了降低输出抖动,采用一种全差动、满振幅结构的振荡器;同时,通过选取合适的偏置电流,实现对环路带宽的温度补偿.流片后测试结果为:输出频率范围400～800 MHz,输入频率40～200 MHz;在输出频率为800 MHz时,功耗小于23 mA,周期抖动峰峰值为62.5 ps,均方根(rms)值为13.1 ps,芯片面积0.6 mm2.     

RFID ASK100%、10%调制时钟产生电路设计

设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56MHz ASK100%、10%调制射频卡所需要的时钟。针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊的设计。本电路作为模块可应用于符合ISO/IEC15693、ISO/IEC18000-3标准的非接触IC卡中。通过Cadence spectre软件,使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺模型进行验证。仿真结果显示:电路采用3.3V电源供电时,100%调制载波幅度为0%时,总工作电流仅为17μA。     

RFID中EEPROM时序及控制电路设计

RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。     

应用于无源超高频射频识别卡芯片的能量提取电路建模与分析

Modeling and analysis of far field power extraction circuits for passive UHF RF identification （RFID） applications are presented. A mathematical model is derived to predict the complex nonlinear performance of UHF voltage multiplier using Schottky diodes. To reduce the complexity of the proposed model, a simple linear approximation for Schottky diode is introduced. Measurement results show considerable agreement with the values calculated by the proposed model. With the derived model, optimization on stage number for voltage multiplier to achieve maximum power conversion efficiency is discussed. Furthermore, according to the Bode-Fano criterion and the proposed model, a limitation on maximum power up range for passive UHF RFID power extraction circuits is also studied.