Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

计算机网络混合实验教学模式研究与实践

为了解决学生对计算机网络课程理论知识难以理解和实验教学资金紧缺的问题,改革传统实验教学方式势在必行。本文提出一种线上线下相结合的混合式实验教学模式,设计了针对课程知识点的虚拟仿真实验教学项目,完善实验教学过程和教学方法。实践结果表明,该教学模式对学生综合素质能力的培养具有重要意义,对后续计算机专业其他实践课程起到指导和参考价值,势必推动整个计算机类课程实践教学的高质量发展。     

AIN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.     

浅析3G移动通信的安全及4G通信的关键技术

随着科学技术的快速发展,我国的移动通信技术也取得了较快的发展,目前我们所使用的移动通信系统已从模拟语音和数字语音发展到当前所广泛应用的3G技术和刚开始进入应用阶段的4G通信系统。本文对当前3G通信系统的安全进行了分析,并进一步对4G移动通信系统的关键技术进行了阐述。     

若丹宁类衍生物抗糖尿病新药的合成

本文合成了七种若丹宁类衍生物，其特点是：合成路线合理，收率较高。产物可作为抗糖尿病新药。     

生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。结果表明,Si1-xGex∶C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大。     

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.     

汽车制动性能检测系统中的数据采集系统

分析并研究了汽车制动检测系统中的数据采集系统,硬件采用MCS51单片机为中央处理器,软件采用汇编语言编写.经过实验表明,该系统运行可靠,操作方便,提高了检测精度与检测速度.     

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.     

零售商竞争的供应链对突发事件的协调应对

研究了一个制造商和两个相互竞争的零售商组成的供应链,在面临单需求突变和双需求突变两种情况下,使用收入共享契约进行协调的问题。研究发现:当发生需求突变时,通过调整收入共享契约的参数可以使分权供应链达到集权供应链的效率;另外,当零售商的决策次序不同时,所得到的能够协调供应链的收入共享契约也会有所不同。