高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究

高速InGaAs光电探测器在天基平台中的应用正逐渐广泛,研究空间辐射环境对高速InGaAs光电探测器性能的影响有着重要意义。采用实时测试法,研究了不同剂量及不同剂量率的γ辐照对高速InGaAs光电探测器响应度、3dB带宽及暗电流特性的影响,通过器件性能实时测试分析发现,器件的暗电流随辐照剂量或剂量率的增加而增大,而响应度、3dB带宽基本不变。     

真空退火对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响

研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响,测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀速率。结果表明,退火后氮化硅薄膜厚度及折射率变化与薄膜沉积工艺条件有关,而薄膜在氢氟酸中的腐蚀速率在退火后大大降低。结合退火前后氮化硅薄膜的红外透射谱对以上测试结果进行了讨论。     

InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正

背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。     

禽蛋黄免疫球蛋白促进人体健康作用的研究进展

卵黄免疫球蛋白(yolk immunoglobulin,IgY)作为禽蛋中重要的免疫活性成分,具有稳定性好、安全性高、廉价、易获得、免疫活性强、不会引发耐药性等优点,在科学研究和生产应用中表现出极强的竞争力.本文综述了IgY作为良好的抗生素替代物在病毒、细菌性疾病防治中的显著优势.另外,IgY通过特异性作用于关键限速酶...     

高性能有机硅改性环氧树脂的研究进展

环氧树脂是一种常用的热固性树脂,有机硅是环氧树脂的一种有效改性剂。有机硅含量对产物的性能会有很大影响,不同性能的变化趋势也不相同。从高性能有机硅改性环氧树脂的力学性能、热稳定性能、阻燃性能、光学性能这4个方面对研究者的研究成果进行分析总结。     

AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。     

射电天文X波段极化网络一体化设计与研究

射电天文望远镜中极化网络一般由极化器、波导同轴转换器、耦合器等几部分组成,为了获取最高限度的系统灵敏度,极化网络在射电天文低温接收机中会置于低温真空杜瓦20 K 温区,使其对接收机噪声温度的贡献降到最低。通过对极化网络的深入研究设计了一种基于隔板结构的X 波段极化器、耦合器和波导同轴转换器一体化结构。该设计既实现了极化器的线圆转换功能又实现了-30 dB 噪声耦合。测试结果表明该设计拥有良好的轴比、耦合度和驻波特性。同时一体化设计进一步减小了无源器件之间的级联,使低温低噪声放大器之前的馈源网络插入损耗进一步降低,提升了射电望远镜的接收灵敏度。     

ZA203—Ⅰ喷气织机BU板的剖析

对ZA203—Ⅰ喷气织机BU板进行了剖析,分析了BU板出现故障的现象和原因,提出了对故障件进行国产件代换的方法。     

特征增强的单阶段遥感图像目标检测算法

针对遥感图像目标检测算法在特征融合过程中最高层信息丢失及遥感图像复杂背景难以区分的问题,提出了一个特征增强的单阶段遥感图像目标检测算法。该算法在基线单阶段对齐网络(S²A-Net)中引入残差特征增强处理策略和改进的通道注意力机制,从而保留特征融合过程中最高层信息并使网络抑制复杂背景信息。为了验证所提算法的有效性,分别在DOTA-v1.0数据集和HRSC2016数据集上进行了实验。实验结果表明,所提算法相比于S²A-Net算法,在DOTA-v1.0数据集上的平均精度提升了1.43个百分点,并在HRSC2016数据集上取得了比较有竞争力的结果。     

一种可见光波长拓展型InGaAs焦平面探测器

背照结构的InGaAs焦平面器件,受其衬底InP的阻挡,对可见光无响应.针对宽光谱探测的应用需求,研制了 一种像元间距为25 μm、阵列规模为640×512的InGaAs焦平面探测器.通过在倒焊互连工艺后,对器件进行干法、湿法相结合的减薄抛光工艺,所得探测器阵列(PDA)芯片最终保留厚度约5 μm,实现了对400～1 700 nm光谱范围内可见光和短波红外光的同时响应,峰值探测率高于8×1012 cm·Hz1/2·W-1,峰值外量子效率超过85％,响应非均匀性优于6％,器件成像效果良好.