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研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds<0 )下的热载流子效应 .讨论了开态和关态应力 .结果发现由于在漏端附近存在电荷注入 ,关态漏电流在较高的应力后会减小 .但是低场应力后关态漏电流会增加 ,这是由于新生界面态的作用 .结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显 ,这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响 .Idsat的退化可以用函数栅电流 ( Ig)乘以注入的栅氧化层电荷数 ( Qinj)的幂函数表达 .最后给出了基于 Idsat退化的寿命预测模型 相似文献
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研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs=0,Vds<0)下的热载流子效应.讨论了开态和关态应力.结果发现由于在漏端附近存在电荷注入,关态漏电流在较高的应力后会减小.但是低场应力后关态漏电流会增加,这是由于新生界面态的作用.结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显,这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响.Idsat的退化可以用函数栅电流(Ig)乘以注入的栅氧化层电荷数(Qinj)的幂函数表达.最后给出了基于Idsat退化的寿命预测模型. 相似文献
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真空微电子三极管与四极管的模拟计算 总被引:1,自引:1,他引:0
对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论。 相似文献
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