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采用整体围带或翅翼形凸肩提供摩擦阻尼的叶片典型结构 总被引:3,自引:0,他引:3
为了减小叶片动应力,干摩擦阻尼结构受到广泛的重视。介绍了国内外使用的几种典型的结构形式,并结合实际工作给出了目前数值分析的常用模型。 相似文献
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基于自偏置电流镜的CMOS红外焦平面读出电路 总被引:2,自引:2,他引:2
针对高精度红外焦平面阵列应用设计了一种具有高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、小面积和低功耗的自偏置电流镜注入CMOS读出电路.所设计的电路结构包括一种由自偏置的宽摆幅PMOS共源共栅电流镜和NMOS电流镜构成的反馈结构读出单元电路和相关双采样电路.对所设计电路采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺进行了流片.测试结果显示:电路线性度达到了99%,探测器两端偏压小于1mV.电路输入阻抗近似为0,单元电路面积为10μm×15μm,功耗小于0.4μW.电量存储能力3108电子.测试结果表明:电路功能和性能都达到了设计要求. 相似文献
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通过电源管理,降低系统功耗是SoC实现低功耗设计的主要技术手段.本文提出了一种面向SoC的电源动态优化方案,构造了实现该方案的硬IP结构.系统通过控制该模块内部的电源管理控制逻辑来控制DC/DC转换控制器的电压输出,达到为系统任务提供不同供电电压的目的.完成了其硬IP核的设计,通过ISCAS85和ISCAS89基准电路验证实现了预期目标. 相似文献
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为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO2/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了测试和分子动力学模拟.结果 表明,随着写入电压幅值和脉冲宽度的增加,选通器耐受性下降.基于此结果,提出一种将选通器开启过程和阻变存储器写过程分开操作的1S1R阵列两步写入方法来降低写过程中选通器上的分压,抑制选通器耐受性的退化.仿真和测试结果表明,相较于一步写操作方法,采用两步写入方法后,选通器件耐受性提高了一个数量级.此外,采用两步写入方法后,阵列能耗可降低58%以上,有利于大规模阵列的应用. 相似文献
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A high injection, large dynamic range, stable detector bias, small area and low power consumption CMOS readout circuit with background current suppression and correlated double sampling (CDS) for a high-resolution infrared focal plane array applications is proposed. The detector bias error in this structure is less than 0.1 mV. The input resistance is ideally zero, which is important to obtain high injection efficiency. Unit-cell occupies 10 μm× 15 μm area and consumes less than 0.4 mW power. Charge storage... 相似文献
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带有阻尼联接结构的汽轮机长叶片扭转恢复角的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用空间梁模型,对带有阻尼结构的汽轮机扭曲长叶片的扭转恢复角进行了计算分析。在有限元方法的基础上,建立了叶片间阻尼联接结构的稳态分析模型,以探讨由此产生的耦合效应,为阻尼结构的进一步研究提供了一个理论计算基础。据此对851mm叶片进行了计算,获得了较为合理的结果。图13参6 相似文献