MXene基纳米材料在氧还原电催化中的应用

氧气还原反应(ORR)是燃料电池和金属-空气电池中的一个关键过程,反应动力学缓慢是制约其发展的瓶颈.MXene基纳米材料(包括MXenes复合材料)作为一种新型的二维层状材料,具有丰富的组成、高比表面积和化学稳定性、可调电子状态、大量暴露的活性位点等独特的结构特点,被认为是当前最有前途的一类ORR电催化剂或载体.开发高性能MXene基ORR催化剂为加速燃料电池和金属-空气电池阴极的缓慢ORR提供了新的途径.本文通过对近期相关文献进行分类总结,综述了MXene基ORR催化剂的设计原则,着重介绍了MXenes和MXenes复合材料在合成策略,组分、形态、结构与其电催化性能之间的构效关系,以及材料电催化反应机理等方面的最新研究进展.综合分析表明,通过构建MXene/过渡金属氧化物、MXene/过渡金属硫族化物、MXene/过渡金属氮化物、MXene/碳基材料、MXene/金属等MXenes复合材料,有望获得高活性、高稳定性的MXene基ORR催化剂.最后,本文提出该类催化剂目前在实际应用中面临的挑战,并指出MXene基纳米材料在电催化ORR方面的未来发展趋势.     

巧用信息技术 展现数学魅力——评《用坐标纸画图解决相遇问题》教学设计

《用坐标纸画图解决相遇问题》两篇教学设计都改变了保守的教学模式,以新课标理念为指导,以促进学生发展为本,突出了信息技术融于数学教学、服务数学教学的特点。两篇教学设计以培养学生的合作精神、     

浅析气缸套早期磨损的原因及预防

气缸套早期磨损，是指发动机在磨合期内或使用很短时间内，气缸套已严重磨损的一种失效模式，会使发动机起动困难、漏气严重、功率不足、烧润滑油，甚至活塞和气缸套之间产生敲击声，有时会引起发动机严重拉缸和烧瓦。认真分析气缸套早期磨损的原因，采取预防措施，对于提高发动机的使用经济性有十分重要的意义。     

螺纹成孔灌注一体成桩施工技术

螺纹桩的结构和施工特点使其与普通圆桩相比具备更多工程优势。该文对螺纹桩一体成桩技术原理、受力特点、施工技术进行了介绍,并援引工程实例说明其在工程中的应用,可为螺纹成孔灌注一体成桩施工技术应用提供一些参考。     

分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气

<正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-     

节水潜力计算方法分析与比较

节水潜力是衡量各行业节水的一项重要指标,对节水型社会建设有重要的指导作用。此文以河北省石家庄市2006～2007年节水潜力计算为例,采用水利部公式、海委公式推求了石家庄市2006～2007年各行业节水潜力,并将两种结果与计算的实际节水潜力进行了分析比较。比较而言,水利部节水潜力计算公式是目前计算节水潜力的较好方法。     

逆作法施工关键技术研究

对逆作法的施工原理作了介绍,分析了逆作法的分类与施工特点,从地下连续墙的施工、桩的施工、挖土施工三方面研究了逆作法的施工技术要点,为确保逆作法的施工质量奠定了基础。     

缓粘结部分预应力连续梁裂缝宽度计算修正浅析

在缓粘结部分预应力混凝土两跨连续梁受弯试验研究的基础上,分析了缓粘结预应力连续梁受力过程的破坏形态、缓粘结力筋与普通力筋粘结性能的差别、及其对梁的裂缝间距和钢筋应力的影响。在国家现行规范的基础上对裂缝公式进行了修正,提出了缓粘结部分预应力混凝土梁裂缝宽度的计算公式,计算结果与试验结果吻合较好。     

气缸套压装变形研究

气缸套是发动机的心脏零部件之一,当它被装入机体或施加预紧力后会产生变形,其变形的大小影响着柴油机整机性能和排放性能。通过对不同配合间隙及预紧状态下气缸套的变形分析,可以找出影响气缸套变形的主要因素,为气缸套的设计和装配积累了经验。     

掺杂nc-Si：H膜的电导特性

采用常规PECVD工艺,以高纯H2稀释的SiH4作为反应气体源,以PH3作为P原子的掺杂剂,在P型(100)单晶硅(c-Si)衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc-Si(P)：H)膜.通过对膜层结构的Raman谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM)观测指出：与本征nc-Si：H膜相比,nc-Si(P)：H膜中的Si微晶粒尺寸更小(～3nm),其排布更有秩序,呈现出类自组织生长的一些特点.膜层电学特性的研究证实,nc-Si(P)：H膜具有比本征nc-Si：H膜约高两个数量级的电导率,其σ值可高达10-1～10-1Ω-1·cm-1.这种高电导率来源于nc-Si(P)：H膜中有效电子浓度ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能△E的降低.采用nc-Si(P)：H膜和P型c-Si制备了异质结二极管,其反向击穿电压值可高达75V,而反向漏电流却仅有几个nA,呈现出良好的反向击穿特性.