倾斜架棚巷道棚子迎山位置的确定

倾斜架棚巷道棚子迎山位置的确定李海忠，李晋恒０引言倾斜架棚巷道架设绷子迎山位置，是由棚子的迎山角来确定的，它是指垂直于顶底板法线方向向上山方向偏离的角度。其大小一般为巷道倾斜角的１／６～１／８．最大值不超过８°。但在实际中，这个角度很难掌握，只是凭经...     

井下主运输系统改造

井下主运输系统改造韩俊德，高崇民，李晋恒随着综合机械化采煤技术的发展，尤其是在综采放顶煤采煤技术的应用中，我矿逐渐出现了主运输系统能力不适应回采能力的矛盾，为了使主运输系统能满足矿井采用综采放顶煤技术的需要，使矿井实现高产稳产，必须对主运输系统进行全...     

机电设备成本优化初探

针对企业机电设备成本进行优化 ,提出总维修费用最优的大修计划及机电设备更新方案。对煤炭企业降低成本 ,提高效益 ,具有一定的意义     

基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器

在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)光电探测器件中, 存在光吸收、光电转换效率低, 光电流小等诸多局限. 为改善上述问题, 基于AlGaN/GaN HEMT结构, 提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器. 实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN HEMT衬底材料上, 并利用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)、光致发光(photo luminescence, PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试. 结果表明, 生长在AlGaN/GaN HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性. 然后, 将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN HEMT器件的栅极上, 制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT紫外光电探测器. 将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT器件与常规的AlGaN/GaN HEMT器件进行对比, 发现具有ZnO纳米线的器件在紫外波段能达到1.15×10⁴ A/W的峰值响应度, 相比常规结构的AlGaN/GaN HEMT, 峰值响应度提升约2.85倍, 并且制备的ZnO纳米线器件的响应时间和恢复时间缩短为τ_r=10 ms和τ_f=250 ms, 提高了探测器的性能.

     

P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展

增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法。首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展。然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法。最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望。     

一种无片外电容的快速响应FVF-LDO北大核心

提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构，不需额外增加辅助电路，仅使用两个电容作为检测模块，以动态调整瞬态响应，能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明，该LDO的压差为200 mV,静态电流为36μA,输入电压范围为2～4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0～10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下，产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。