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512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。 相似文献
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为提高铂硅肖特基势垒红外探测器的量子效率,文章将平坦的铂硅-p型硅金半接触界面设计成光栅结构,利用光栅耦合激发表面等离子波效应提高铂硅红外探测器光耦合效率.采用严格耦合波分析方法优化了光栅结构参数以及模拟了探测器在等离子共振波长处的电场分布.最后探讨了光耦合效率与铂硅红外探测器量子效率的定量关系,发现在3~5μm波段光栅结构的量子效率较平坦结构能提高2倍多,在波长3μm和3.4μm时分别提高2.94和2.5倍. 相似文献
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