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采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并采用多层膜结构(CoCrPt)100-Nbx/CrTi/C/Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明:采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构,即使在室温下溅射,此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA/m的矫顽力;在550℃高温下,经过30min真空退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值386kA/m,适用于高密度磁记录。同时,也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。 相似文献
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用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响.用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的Hc(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好.室温下淀积NiO(50nm)/NiFe(15nm)双层膜的Hc为4000A·m-1,交换耦会场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃.X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大. 相似文献
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由轻稀土Sm和3d过渡族金属Co组成的SmCo非晶垂直磁化膜具有独特的磁、磁光和磁电性能,是制作高密度存贮器件和薄膜传感器的一种很有前途的材料。本文用透射电子显微镜(TEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo非晶磁化膜的显微结构特征及其与成份、温度的依赖关系。讨论了非晶态SmCo磁化膜的形成过程及其结构对磁光特性的影响。实验结果表明:1.SmCo非晶磁化膜的典型结构是由直径约30A的高密度柱状区和一个低密度的网络组成的,如图1所示,图中右上角的电子衍射插图表明该结构是典型的非晶态。2.Sm_xCo_(100-x)(15相似文献
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TbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性 总被引:4,自引:0,他引:4
在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。 相似文献
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非晶稀土(RE)-过渡金属(TM)膜的一个共同特征是具有单轴各向异性,这个单轴各向异性的强度和取向,主要取决于非晶膜的成分、基片温度和膜的制造方法。非晶Sm_(25)Co_(75)溅射膜在控制溅射条件下可获得大的垂直各向异性。非晶膜的磁各向异性的起源可以有若干个机构,主要有磁各向异性微结构和原子对有序(短程有序)机构等。本文具体讨论了非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性的来源可能有三个方面:(1)柱状微结构的形状各向异性;(2)负偏压的作用导致原子对有序和柱状微结构的细化;(3)垂直静磁场感生的垂直单轴各向异性。 相似文献
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