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在这篇文章中,我们利用原子层沉积(ALD)的方式在硅衬底上生长铂金(反应源是(CH3C5H4Pt(CH3)3)和氧气)。将经过氢氟酸处理和氧气处理的两种类型硅衬底进行生长对比实验来探究衬底表面处理对原子层沉积方式生长铂金薄膜的影响。相对于经氧化处理的硅衬底来说,在氢氟酸处理的硅衬底上淀积铂金薄膜有较长的滞后时间且生长过程不同。此外,即使在原子层沉积铂金薄膜实验之前利用氢氟酸处理硅衬底以去除天然氧化层,淀积实验完成后在铂金和硅衬底界面处仍有一层中间氧化层。文章解释了导致这种差异性的原因。 相似文献
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在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。 相似文献
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DSP芯片中全加器电路的优化设计 总被引:3,自引:0,他引:3
全加器在DSP芯片中是一个非常重要的逻辑器件,在DSP芯片内部存在着大量的加法器,通过对加法器的优化设计,可以使DSP芯片的性能得到提高.在本文中以CPL结构(Complementary pass transistor logic)加法器为基础提出了一种优化的加法器结构.并且通过HSPICE仿真,对28个晶体管的CMOS加法器、传统的CPL加法器和改进型的CPL加法器进行了比较.仿真的结果表明:改进型CPL加法器在功耗和延时等特性上比传统的28-T CMOS结构加法器和一般的CPL结构加法器有较大的提高. 相似文献