分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构

新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ...     

AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量

本文介绍了连续波电光检测法(CWEOP—continuous wave electro-optic probing)应用于AlGaAs/GaAs异质结构材料均匀性测量的原理、实验装置和实验结果。扫描电子显微镜电压衬度技术也用于观察测量样片,比较两者的结果发现有较好的对照。最后,讨论了实验结果,并对方法的应用作了展望。     

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE     

利用加热器辐射热控制磷源温度合成InP的热场设计

对利用加热器的辐射热在高压单晶炉内合成InP的热场设计作了分析并给出了实验结果。作者在已发表的文章中提到了在高压单晶炉内液封合成InP的方法,但对该法未作详细讨论,本文就此作一补充。     

液封合成与切氏法生长InP单晶

——本文介绍一种制备InP单晶的新工艺.工艺特点是实验周期短和沾污少.晶体电学参数已达到N_D-N_A=4.53×10~(15)cm~(-3)和μ_(77K)=29920cm~2/V·s.(111)In面的位错密度为10~3～10~4cm~(-2).单晶锭重约200克.在掺Sn-InP衬底上汽相外延生长的InP层用于制做体效应器件,在58.3GHz下有120mW的输出功率和2.08%的效率.     

调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。     

MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料

<正>人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm~2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。