福州市“夹心层”群体住房问题研究

随着房地产市场的快速发展和房价高涨,出现了一批游离在保障与市场之外的无能力购房的"夹心层"群体。"夹心层"的住房问题日益受到社会各界的关注,解决"夹心层"的住房问题已经关系到经济发展和社会稳定。本文将通过福州"夹心层"住房情况调查,分析福州"夹心层"的收入与购房能力,提出"夹心层保障房"的布局等相关解决措施,为解决福州"夹心层"住房问题建言献策,为海西经济建设跨越式发展保驾护航。     

以双字线双阈值4T SRAM为基础的存内计算设计

为了应对冯·诺依曼计算架构的存储墙,存内计算(CIM)架构将逻辑嵌入到存储器中,在读取数据的同时完成运算,使存储单元具备计算能力并且减少了处理器和存储器之间的数据传输.为实现大容量、低成本存储器设计,提出了一种以双字线双阈值4T SRAM为基础的存储系统,不仅可实现数据的存储与读取,而且还可实现BCAM运算和与、或非、异或等逻辑运算.逻辑运算时,经译码电路任选两行存储数据,位线均预放电至低电平,位线电压通过位线端灵敏放大器与参考电压比较后输出运算结果.BCAM运算时,外部输入数据经译码电路译码后实现对存储单元左右传输管的开、断控制,位线端灵敏放大器经或非门输出匹配结果.在65 nm CMOS工艺下对所提电路进行搭建并仿真.4T存储单元相较于6T存储单元的存储面积减少了25％,双字线4T存储结构相较于单字线4T存储结构在超大规模集成电路(VLSI)应用中读功耗可节省47％左右.BCAM运算时数据匹配最大功耗为909.72 FJ,N列的阵列运算速度在字线电压为600 mV时可达16161.6×N MB/Hz.     

N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究

基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65 nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。     

坚持党建引领 全力推动红色物业创建

<正>坚持党建引领,全力推动红色物业创建,其核心精髓是为人民服务。现代化物业服务领域涉及到千家万户,与人民群众的生活息息相关。物业服务品质的好坏优劣,直接影响到人民群众幸福之基,服务过程中是否产生矛盾,直接关系到构建和谐社会之本。红色物业创建的初衷,就是让物业人学习伟大的党全心全意为人民服务的精神,并融入服务态度和意识中,转化为服务的宗旨和信仰,让每个物业人都能以一个中国共产党党员的标准严格要求自己,视业主为亲人,     

集成电路设计平台构建与实验教学探索

本文基于校园局域网,利用远程登录工具,构建并优化了集成电路设计环境的网络平台,不仅有效缓解了实验室资源不足的问题,实现了资源共享;还进一步完善了集成电路实验教学体系,使学生对集成电路设计有一个全面综合的认识,使其解决具体问题的能力得到提高。     

高可靠性的读写分离14T存储单元设计

为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元。基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力。与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1%、20.7%和36.1%。写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限。     

基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展

随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。     

PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究

基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明：降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度、N阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度,有助于减小翻转恢复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer, LET);通过降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度和N阱掺杂浓度,使翻转恢复时间变长。该文研究结论有助于优化SRAM存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect, SEE)设计,并且可以指导体硅CMOS工艺下抗辐射集成电路的研究。     

关于“豫东地区劳动力外流对农村居民点规划的影响”的调查报告

作为小农经济最重要的生产要素———劳动力,它的流失毫无疑问会从各个方面改变农村的原始状态,其中最直观的便是农村居民点形态上的变迁。首先,劳动力的大规模外流导致农村居民点周围农耕用地的流失,并且影响到了农业技术的推广、种植结构、商品购买力的变化,而这些方面又直接或者间接地影响到了农村居民点的规划。其次,劳动力在性别、年龄、文化程度等结构上的畸形外流,促使农村居民点内的基础设施不断得到完善。再次,大量劳动力输出增加了农民的收入,农民用挣来的钱忙目的、毫无规划地"大兴土木",造成农村居民点规模的扩大和闲散布局。     

关于辽阳变66kV小张线联网工程的论证

本文对辽阳变66kV小张线联网工程进行了论证。