化合物半导体材料的激光消融微区质谱特性的实验研究

采用一台 Q开关 Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出 (2 6 6 nm )作为消融激光 ,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子 ,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相互作用。报告了这种相互作用的阈值特性、离子产额、质量分辨率等与激光通量密度的关系 ,给出了典型 Al Ga As和 In P材料的激光消融微区质谱。 In P的离子质谱表明非金属元素磷的二聚物离子 P2 的离子峰总是占优势的。     

掺铕稀土配合物的光学树脂荧光光谱研究

报道了将多种稀土铕配合物复合于苯乙烯(ST)／甲基丙烯酸(HMA)的共聚体系,研究了含稀土配合物透明光学树脂的光学性能。发现其具有发光效率高,光谱呈现尖锐的线状谱带及相对于纯稀土配合物粉末来说掺有稀土配合物的光学树脂的发射产生光谱红移等特点。特别是用电子云重排效应(当中心稀土离子与不同配体结合时,其相同的J能级间的跃迁谱带位置略有移动的现象)解释了掺有稀土配合物的光学树脂发射光谱红移现象。并推断出在含稀土配合物复合于光学树脂后。稀土中心离子和配位原子间距离有所减小。     

激光增强电离光谱与元素的痕量分析

用可调谐染料激光器选择性激励火焰中待测原子,使之跃迁到激发态,受激原子与其它原子分子碰撞而电离。用加在火焰中的电场收集电离信号,     

对于单个初电子在正比计数管中产生的脉冲高度分布形状的研究

研究单个初电子在正比计数管中产生的脉冲高度分布不仅对研究探测器本身有着重要意义,而且在其他方面也有许多重要应用。这项工作可以帮助我们了解正比计数管的探测机制,单纯研究充气正比计数管中气体放大倍数的涨落。 值得注意的是,这项工作最近几年又成为一种新发展起来的高灵敏检测技术——共振电离光谱技术与正比计数管结合起来检测单个原子的不可缺少的一部分。 一些研究者认为,单个初电子在正比计数管中产生的脉冲高度分布具有简单的指数衰减曲线的形状,另一些人的实验结果却表明单个电子的脉冲高度分布曲线具有峰结构。     

半导体材料的激光消融质谱分析

本工作采用一台Ｑ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的四倍频输出（２６６ｎｍ）作为消融激光，以４５°角入射到半导体样品靶上，用反射型时间飞行持谱仪分析和探测由激光与靶相互作用产生的离子，从得到的质量谱研究激光与半导体材料相互作用，报告了这种相互作用的阈值特性，离子交额、质谱分辨率等与激光通量密度的关系，给出了典型的ＡｌＣａＡｓ和ＩｎＰ材料的激光消融微区质谱。