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本文对太阳电池扩散N+N高低结界面的有效表面复合速度进行了解析研究,取扩散N~+区的杂质分布为高斯分布,给出了有效表面复合速度及其表面复合分量和体复合分量的解析表达式,还讨论了它们与表面杂质浓度、结深和表面状况等的关系。 相似文献
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少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。 相似文献
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本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化. 相似文献
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对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作了比较。当用简化的指数杂质分布代替实际的高斯分布,即用一个常值的内建场代替与离表面距离有关的内建场时,对于表面复合相对于体复合为主要因素的p-n结,将引入一个正的光电流误差,反之将引入一个负的光电流误差,而对于表面和体复合两种因素可以比较的p-n结,则引入的误差甚小。 相似文献
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非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符. 相似文献
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本文提出了一种直接由C-t瞬态参数确定未知掺杂样品少子产生寿命的方法.本方法的简单性使它特别适于在工艺在线监控中应用. 相似文献
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