热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜

立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物，其优异性质可与金刚石相比拟或胜之．立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一．我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜，并初步探讨了热丝对cBN形成的作用．偏压并不是cBN形成的唯一主要条件，活性粒子也有非常关键的作用．     

快慢时间域间歇采样转发干扰生成进动锥体ISAR群阵列

为了提升空间锥体目标突防能力,该文提出一种基于快慢时间域间歇采样转发干扰生成沿距离向及方位向分布的空间锥体ISAR群阵列方法。首先分析了双站情况下空间锥体目标ISAR像成像方法;针对线性调频波分析了快慢时间域间歇采样生成空间锥体ISAR群阵列的基本原理及其ISAR假目标分布特性。最后结合电磁仿真数据,分析了快慢时间域间隙采样参数对ISAR群阵列分布的影响,可为ISAR欺骗式干扰提供参考。     

ECR-CVD法制备BN薄膜

cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.     

基于电阻膜的超宽带超材料吸波体设计

为满足宽带电磁隐身需求,提出了一种完全覆盖C～Ka波段、部分覆盖S和U波段的超材料吸波体. 吸波体由四层不同方块电阻的方形电阻膜及泡沫介质基板构成,多层电阻膜结构有效地向两侧拓宽了吸收带宽. 为了分析吸波体的电磁吸收机理,建立并分析了该吸波体的精确等效电路模型. 仿真结果表明,在3.16～51.6 GHz(相对带宽为176.9%)工作频带内,对TE和TM波均能实现88%以上的吸收率,并且对入射角度具有稳定性. 制作、加工并测试了超材料吸波体,实测结果与等效电路计算、全波仿真结果均具有较好的一致性,表明该吸波体在电磁隐身领域具有重要的应用价值.     

基于智能变色的发射率可调型薄膜研究进展

介绍了基于电致变色和热致变色的可变发射率薄膜及器件的基本原理及目前的研究现状,重点总结了三氧化钨(WO3)、导电高分子(CPs)、钙钛矿型复合氧化物(A1-xBxMO3)、二氧化钒(VO2)等四类典型红外发射率可变材料。最后针对电致变色和热致变色分别提出了存在的具体问题,对我国智能变色发射率可调型薄膜及器件的发展进行了展望。     

单回路可编程调节器的使用探讨

单回路可编程调节器是一种多功能组合的数字直接调节装置。为了正确使用其内部功能，本文在试验和实践的基础上，以Ｖ１８７ＭＡ单回路调节器为例，介绍了几种使用方法，说明了它们的构成思想和工作原理。     

新型金刚石薄膜场电子发射的特性

介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极,阈值电压低于１．０９ Ｖ／μｍ,场发射电流密度高达４１８ ｍＡ／ｃｍ２,这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．     

散射增强箔条雷达特性研究

文中提出一种基于角反射器的箔条雷达散射特性增强方法，旨在通过增强单根箔条的散射特性，利用有限数量的箔条实现海量箔条云团的雷达散射截面积（radar cross section，RCS）.在传统"偶极子"箔条的基础上，利用圆板角反射器结构的强散射特性来增强箔条的电磁散射.同时，为了兼顾各个方向上的电磁散射，利用多个圆形角反射器拼接成为外轮廓为球形的强散射结构，通过调节球形结构的半径，可以实现对单个箔条和箔条阵列RCS的控制.最后，将单个箔条组成阵列，形成新型箔条结构.对工作频率、入射角度、球形包络半径等不同参数下基于角反射器散射增强的箔条雷达散射特性进行了仿真分析，结果表明利用新型箔条散射增强结构，能使单根箔条的RCS增大30 dBm2以上.     

基于圆环FSS的宽带吸波材料设计研究

为了拓宽吸波材料的吸收带宽,设计了一种圆形频率选择表面(Frequency Selective Surface,FSS),并引入到双层雷达吸波材料中组成周期性复合吸波结构,通过FSS参数与吸波材料电磁参数的电匹配设计与反射性能仿真,研究了FSS单元图案、几何形状参数、周期尺寸对吸波材料反射率性能的影响规律。仿真结果表明,基于FSS设计的周期性复合吸波结构,在微波波段可形成多个吸收峰,拓宽了吸波材料的吸收带宽。