排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构。发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k^2x(k))谱形状相似,说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构。对生长温度为200℃的ZnO/Al2O3(0001)和ZnO/Si(100)样品,其Zn-O第一配位峰的无序度仃。分别为0.0054A^2和0.0080A^2,当生长温度从200℃提高到300℃时,ZnO/Al2O3(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度仃。降为0.0039A^2。结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大,但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高;且样品的局域结构越有序,相应的配位峰幅度也越高。 相似文献
3.
在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比较吻合。因此 ,通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量 ,以便得到更好的微结构图形 相似文献
4.
利用XSAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga-N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0.194nm、4.0、0.0052nm、0.0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga-N配位的σT增加不多,小于0.0005nm,表明第一近邻Ga-N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0.318nm,纳米晶GaN的σs(0.0057NM)比晶体GaN的(0.001nm )大0.0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0.0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。 相似文献
5.
6.
张新夷 《红外与毫米波学报》1984,3(4)
本文试从无序系统的发光及喇曼散射中的几个问题出发,阐述次级光发射中的无序效应。Wolford研究了三元系GaAs_(1-x)P_x:N中束缚激子的发光,发现随着组份x值的变小,电-声子耦合增强,激子的半径变小。张新夷等人对三元系Ga_xIn_(1-x)P:N的束缚激子发光的研究也得到了同样的结论。在三元化合物中,束缚激子趋于局域,激子中电子和空穴的交换能增大。 相似文献
7.
我们用He-Ne和Ar~+激光器的各条分立谱线,对各种组份下的三元化合物Ga_(1-x)Al_xAs(1>x>0.2)的喇曼散射以及无序效应进行了研究。由于Ga-As,Al-As之间的相互作用较强,使得GaAlAs成为典型的双模混晶。首先我们测量了声子频率随组份的变化。为同时观察到了TO,LO模,我们采用直角散射,考虑到折射率的影响,计算了此时喇曼散射的效率。分析了两种无序激活的声学声子DATA和 相似文献
8.
本文通过对ZnS:Mn,Cu粉末材料的发光光谱,时间分辨发光光谱和发光衰减的研究,对ZnS:Mn,Cu材料中两种不同的发光中心的激发机理作了分析。实验所用的ZnS:Mn,Cu有两种类型,一种是表面不包铜的粉末材料,这种材料只有在Cu浓度大于2×10~(-4)mol/mol ZnS,且在交流电场作用下才发光,因此称作交流电致发 相似文献
9.
采用XAFS方法研究浸渍法制备并于低温焙烧的CuO/γ-A12O3催化剂的局域结构。对于CuO负载量小于单层分散阈值的CuO/γ-A12O3(0.4mmol/100m2),结果表明CuO物种是以层状分散的孤立原子簇存在于γ-Al2O3载体表面,其第一近邻Cu-O配位环境的结构与晶态CuO的相似,键长和配位数分别为0.195nm和4。对于CuO负载量等于单层分散阈值的CuO/γ-A12O3(0.8mmol/100m。),已有少量的CuO纳米颗粒生成。对于CuO负载量大于单层分散阀值的CuO/γ-A12O3(1.2mmol/100m2),其结构与多晶CuO的相近。基于CuO在γ-A12O33载体上的三种不同分散状态的结构特点,我们提出了CuO/γ-A12O3催化剂的结构模型。 相似文献
10.