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自从MgB2(Tc=39K)超导体发现以来,AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近,我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2(0〈x〈0.7)化合物,得到了单相AlB2结构的样品。当0.2≤x〈0.5时,样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明,随着Nb含量的减少,晶格参数在x≈0.2处发生突变,在a-b面内收缩,沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系,我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量;并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系,得到了与实验一致的理论结果。 相似文献
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六方结构的层状过渡金属化合物具有丰富的结构和物理现象,是近年来材料物理研究领域的一个热门课题[1~3]。层状过渡金属化合物的物理性能和晶体结构具有密切关联。例如,较大层间距的Na0·3CoO2·1·3H2O水合物为超导体[2];层间钠离子Z字形有序排列的Na0·5CoO2在50K附近发生电荷有序相变[3]。系统的结构研究对深入理解层状过渡金属化合物物理性能有着重要意义。在近期研究中,我们利用二价离子(Ca,Sr)替代Na,发现了丰富的物理和结构现象。图a~d为Sr0·35CoO2的电子衍射和高分辨图像。分析表明,Sr0·35CoO2中Sr在CoO2形成层间有序态… 相似文献
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本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3(STO)和La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO,//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si^2+和Si^0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中。 相似文献
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